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初步
EMC646SP16K
4Mx16 CellularRAM的AD- MUX
部分阵列刷新（ RCR [ 2 ： 0 ] =默认全阵列刷新）
的PAR位限制刷新操作的总存储器阵列的一部分。此功能允许器件在降低待机电流
清凉由主机系统所需的存储器阵列的那一部分。刷新选项全套，半阵，四分之一
阵，八分之一阵列，或没有阵列。这些分区之间的映射可以就在开始或地址的端
地图（见表7和表8）。
表7 ：地址模式的PAR （ RCR [ 4] = 1 ）
RCR[2]
0
0
0
0
1
1
1
1
RCR[1]
0
0
1
1
0
0
1
1
RCR[0]
0
1
0
1
0
1
0
1
活动部分
全模
一半死亡
四分之一模具
八分之一的模
无模具
一个半模的
四分之一模具
八分之一的模
地址空间
000000h-3FFFFFh
000000h-1FFFFFh
000000h-0FFFFFh
000000h-07FFFFh
0
200000h-3FFFFFh
300000h-3FFFFFh
380000h-3FFFFFh
SIZE
4梅格×16
2 MEG ×16
1梅格×16
有512K ×16
0梅格×16
2 MEG ×16
1梅格×16
有512K ×16
密度
64Mb
32Mb
16Mb
8Mb
0Mb
32Mb
16Mb
8Mb
设备识别寄存器
在DIDR提供有关设备的制造商， CellularRAM的产生，并在特定的设备配置信息。表8
描述了在DIDR比特字段。该寄存器是只读的。该DIDR访问与CRE HIGH和A [ 19时18 ]条件= 01b ，或者通过
注册A / DQ = 0002H在第三个周期访问软件的序列。
表8 ：设备识别寄存器映射
位域
字段名称
DIDR[15]
行的长度
长
256个字
位
环境
1b
DIDR [ 14:11 ]
设备版本
VERSION
1st
2nd
...
位
环境
0000b
0001b
...
DIDR [10：8 ]
器件密度
密度
64Mb
位
环境
010b
DIDR [7：5 ]
CellularRAM的一代
GENERATION
CR 1.5
位
环境
010b
DIDR [4 ：0]的
供应商ID
供应商
EMLSI
位
环境
01010b
选项
29
