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初步
EMC646SP16J
4Mx16的CellularRAM
表11 ：深度掉电规格
描述
深度掉电
条件
V
IN
= VCCQ或0V ;
VCC ， VCCQ = 1.95V ; + 85°C
符号
I
ZZ
典型值
3
最大
10
单位
A
注：典型（ TYP ）I
ZZ
值是在Vcc = 1.8V ，T检验
A
= 25°C ，并不能保证。
表12 ：电容
描述
输入电容
输入/输出
电容（DQ）
TC = = + 25°C ; F = 1兆赫;
V
IN
= 0V
条件
符号
C
IN
C
IO
民
2.0
3.5
最大
6
6
单位
pF
pF
记
1
1
注：这些参数在设备特性验证，并非100 ％测试。
图21 ： AC输入/输出参考波形
VSSQ
输入
1
VCCQ
VccQ/2
2
测试点
VccQ/2
3
产量
注意：
1. AC测试输入驱动VCCQ为逻辑1和VSSQ为逻辑0输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％） <1.6ns 。
2.输入时间开始于VCCQ / 2 。
在VCCQ / 2 3.输出时间结束。
图22 ： AC输出负载电路
测试点
50-Ohm
DUT
VccQ/2
30pF
注：所有测试都与被配置为半驱动强度的默认设置的输出进行（BCR [5：4 ]条件= 01b ） 。
30
