初步
EMC646SP16J
4Mx16的CellularRAM
电气特性
表9 ：绝对最大额定值
参数
电压Vcc的除外， VCCQ相对于Vss的任何引脚
在VCC电源相对于Vss电压
供应相对于Vss电压VCCQ
存储温度（塑料）
工作温度（外壳）无线
焊接温度和时间10S （焊球只）
等级
-0.30V至VCCQ + 0.3V
-0.2V至+ 2.45V
-0.2V至+ 2.45V
-55 ° C至+ 150°C
-30 ° C至+ 85°C
+260°C
强调以上这些，可能会对设备造成永久性损坏。
这是一个压力只有评级，以及设备在这些或以上的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
表10 ：电气特性和操作条件
无线温度（ -30℃ <牛逼
C
< + 85°C ）
描述
电源电压
I / O电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
I
OH
= -0.2mA
I
OL
= + 0.2毫安
V
IN
= 0至VCCQ
OE ＃ = V
IH
或者芯片已禁用
条件
VCC
VCCQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
符号
民
1.7
1.7
VCCQ - 0.4
-0.20
0.80 VCCQ
最大
1.95
1.95
VCCQ + 0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
记
1
2
3
3
0.20 VCCQ
1
1
V
A
A
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
4
4
4
工作电流
异步随机
读/写
异步
页面读取
初始访问
突发读/写
条件
I
CC
1
I
CC
1P
符号
70ns
70ns
104MHz
I
CC
2
83MHz
66MHz
104MHz
典型值
最大
25
18
35
30
25
30
25
20
35
30
25
180
记
4
4
V
IN
= VCCQ或0V芯片使能，我
OUT
= 0
连续突发读取
I
CC
3R
83MHz
66MHz
104MHz
连续突发写
I
CC
3W
83MHz
66MHz
标准
A
A
A
5, 6
待机电流
V
IN
= VCCQ或0V ， CE ＃ = VCCQ
I
SB
低功耗
LowLowPower
50
160
140
注意：
1.输入信号可能会过冲至VCCQ + 1.0V的转换过程中的时间小于2ns 。
在1.0V转换为时间小于2ns - 2，输入信号可能下冲至VSS 。
3. BCR [5：4 ]条件= 01b （二分之一的驱动强度的默认设置）。
4.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须补充以驱动输出所需的电流
电容预期在实际的系统中。
5. I
SB
测得的（最大）值与PAR设置为全阵列，并在+ 85°C 。为了实现低的待机电流，所有输入必须被驱动到
无论是VCCQ或Vss 。我
SB
可能长达500ms的上电后，或者当进入待机模式略高。
6. I
SB
（典型值）的平均I
SB
在25 ℃， VCC = VCCQ = 1.8V 。鉴定过程中，此参数验证，而不是100％测试。
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