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MBM29LV160TM/BM
90
算法的运行和DQ
7
具有有效数据, DQ上的数据输出
6
到DQ
0
可能仍然是无效的。的有效数据
在DQ
7
到DQ
0
将被读取的连续的读取尝试。
仅在嵌入式编程算法,嵌入式擦除Algo-的数据查询功能是活动
rithm ,擦除挂起模式或扇区擦除超时。
“在嵌入式算法操作时序图数据查询”中看到的
sSWITCHING
波形
数据轮询时序规格和图表。
DQ
6
切换位I
该器件还具有“切换位I”作为一种方法来指示到主机系统的嵌入式
算法是正在进行或已完成。
在嵌入式编程或擦除算法周期,连续尝试读取( CE或OE再次触发)数据
从设备将导致DQ
6
1和0之间切换。当嵌入式编程或擦除
算法循环完成,DQ
6
将停止切换,有效的数据将被读取的下一个连续尝试。
在编程过程中,触发位我是之后的第四个写脉冲的四个写脉冲的上升沿有效
序列。对于芯片擦除和扇区擦除,翻转位我是后第六写入脉冲的上升沿有效
在六个写脉冲序列。切换位I是活跃在该领域的时间了。
在PROGRAMM操作中,如果被写入该部门的保护,触发位将切换为约1
s
然后停止与不变中的数据切换。在擦除,设备将擦除除所有选定行业
受保护的人。如果所有选定行业的保护,该芯片将切换切换位约100个
s
然后落回读模式,其数据仍然保留。
CE或OE触发将导致DQ
6
切换。请参见“在嵌入式切换位升时序图
在算法操作“
sSWITCHING
波形切换位我时序规范和图表。
DQ
5
超过时间限制
DQ
5
将指示编程或擦除时间已超过规定的限额(内部脉冲计数) 。下
这些条件DQ
5
将产生一个“1”。这是一个故障情况,表示该程序或擦除周期是
没有成功完成。数据轮询是指该器件在该条件下的唯一的操作功能。该
CE的电路将部分掉电在这些条件下的设备。在OE和WE引脚控制
输出禁止功能,如“ MBM29LV160TM / BM用户总线操作(字模式描述:字节= V
IH
)”
和“ MBM29LV160TM / BM用户总线操作(字节模式:字节= V
IL
) “中的
sdevice
总线操作。
在DQ
5
如果用户试图进行编程而不预擦除的非空白位置失效的条件下,也可能出现。在
这种情况下,设备将锁定出来,永远不会完成的嵌入式算法操作。因此,该系统从未
在读取DQ有效数据
7
位和DQ
6
永不停止切换。一旦设备已超过定时限制,则DQ
5
位将指示一个“1”。注意,这不是一个设备失效的条件下,因为不正确地使用该设备。如果这
发生时,重置设备以命令序列。
DQ
3
扇区擦除定时器
在完成初始扇区擦除命令序列后,将扇区擦除超时将开始。 DQ
3
保持低电平,直到超时完成。数据轮询和切换位是初始扇区擦除后有效
命令序列。
如果数据轮询或切换位I表示一个有效擦除命令已被写入, DQ
3
可用于
确定扇区擦除定时器窗口是否仍处于打开状态。如果DQ
3
为“1”的内部控制擦除周期
已经开始。如果DQ
3
是“0”时,设备将接受额外的扇区擦除命令。为了确保命令
被接受后,系统软件应检查DQ的状态
3
之前和之后的每个后续
扇区擦除命令。如果DQ
3
均高于所述第二状态检查,该命令可能不被接受。
请参阅“硬件序列标志” 。
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