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MBM29LV160TM/BM
90
RY / BY
就绪/忙
该器件提供了一个RY / BY漏极开路输出引脚来指示到主机系统的嵌入式算法
是正在进行或已经完成。如果输出为低时，器件正忙于任何程序或
擦除操作。如果输出为高时，该装置已准备好接受任何读/写操作或擦除操作。如果
装置被放置在一个擦除挂起模式时， RY / BY输出都为高，通过与上拉连接的装置
最多电阻到V
CC
.
在编程期间， RY / BY引脚之后的第四WE脉冲的上升沿驱动为低电平。在擦除
操作中， RY / BY引脚后6个WE脉冲的上升沿驱动为低电平。该RY / BY引脚将指示
复位脉冲在繁忙的状态。请参阅“ RY / BY在编程/擦除操作时序的时序图
图“ ， ”复位时序图（而不是在嵌入式算法） “和”复位时序图（在
在嵌入式算法） “
sSWITCHING
波形进行了详细的时序图。该RY / BY引脚被拉低
高在待机模式。
因为这是一漏极开路输出， RY / BY引脚可以连在一起并联一个上拉电阻到V
CC
.
字/字节CON组fi guration
BYTE引脚选择的字节（ 8位）模式或字（16位）模式下的设备。当此引脚驱动为高电平时，
器件工作在字（ 16位）模式。数据被读取，并在DQ编程
15
到DQ
0
。当该引脚驱动
低电平时，器件工作在字节（ 8位）模式。在这种模式下， DQ的
15
/A
-1
引脚变为最低地址位，而
DQ
14
到DQ
8
位处于三态。但是，命令总线周期始终是一个8位的操作，因此的COM
要求主要写在DQ
7
到DQ
0
和DQ
15
到DQ
8
位被忽略。
数据保护
该设备被设计为提供保护，防止意外删除或编程引起的杂散系统
电平信号，可能会在电源转换存在。上电时，设备会自动复位内部
状态机在读取模式。另外，对于其控制寄存器结构，变更存储内容仅
成功完成特定的多总线周期的命令序列后发生。
该器件还集成了多项功能以防止生成的表单V无意中写周期
CC
上电
和断电转换或系统噪声。
（ 1 ）低V
CC
写禁止
以避免在V的写周期开始
CC
上电和断电，写周期被锁定为V
CC
少
比V
LKO
。如果V
CC
＆ LT ; V
LKO
，命令寄存器被禁止，所有的内部编程/擦除电路都被禁止。
在此条件下，该装置将复位到读模式。后续写入将被忽略，直到V
CC
水平
大于V
LKO
。这是用户的责任，以确保控制引脚在逻辑上是正确的，以防止
无意识当V
CC
高于V
LKO
.
如果嵌入式擦除算法被中断，干预擦除扇区（s）是（是）无效。
（ 2 ）写脉冲“毛刺”保护
不到3纳秒（典型值）的OE脉冲噪声，CE ，否则我们将不会启动写周期。
（3 ）逻辑禁止
写作是由持有OE = V任何一个抑制
IL
，CE = V
IH
，或者我们= V
IH
。要开始写， CE ，我们必须
是逻辑零，而OE是一个逻辑1 。
（ 4 ）电写保护
上电设备的用WE = CE = V
IL
和OE = V
IH
将不接受WE的上升沿命令。
内部状态机自动复位，读取上电模式。
（ 5 ）扇区保护
设备用户能够单独地保护每一个区段组来存储和保护数据。保护电路空隙
写和擦除是针对保护部门的命令。
任何命令写入或擦除处理受保护的部门将被忽略。
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