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MBM29LV160TM/BM
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根据数据轮询算法。但是从复位模式读取显示的数据仍然是“ 0 ” 。只有清除
操作可以转换的“0”到“1” 。
注意，在尝试编程一个“1”通过“0”将导致编程失败。这种防范措施是一样的
与富士通标准NOR器件。 “嵌入式程序
TM
在算法“
sFlow的
图表显示该雇
层状计划
TM
使用算法典型的命令字符串和总线操作。
计划暂停/恢复
本程序的挂起命令允许系统中断程序操作，使得数据可以被读
从任意地址。写的过程中嵌入式程序操作二份程序暂停命令（ B0H ）
diately暂停节目。请参阅"Erase暂停/ Resume"的细节。
当程序挂起命令在编程过程中被写入，该设备将暂停计划
在1us的运行和更新bits.After程序运行的状态已经暂停，系统
可以从任意地址读取数据。在程序悬浮地址的数据是无效的。正常的读时序和
命令定义。
程序继续命令（30H ）写入后，设备恢复到编程。该系统可
确定该程序的操作使用DQ的状态
7
或者DQ
6
状态位，正如在标准程序
操作。见"Write操作Status"以获取更多信息。在当程序发出命令暂停
4
s
发行程序命令后，通过读取状态位在更确定程序的运行状况
4
s
之后发出程序恢复命令。
该系统还写在程序中自动选择命令序列挂起模式。该装置允许
读自选代码在编程领域内的地址中，由于代码没有存储在
内存。当器件退出自动选择模式下，设备将恢复到程序挂起模式，并且是
准备好另一个有效的操作。见"Autoselect Command"以获取更多信息。
该系统必须从程序编写程序恢复命令退出挂起模式，继续
编程操作。 Resume命令的进一步写入被忽略。另一个程序挂起
命令可以被写入的装置会恢复编程之后。
不要读HiddenROM入世后CFI代码和退出程序挂起模式。
芯片擦除
芯片擦除是六总线周期的操作。它始于2 “解锁”写周期之后写的“设置”命令，
其次为它调用嵌入式擦除算法芯片擦除命令2 “解锁”写周期。
该设备不要求用户在擦除之前对器件进行编程。当执行嵌入式擦除
算法自动设备编程和校验整个内存之前全零数据模式
电擦除（准备阶段函数） 。该系统不要求中提供的任何控制或定时
这些操作。
该系统可以通过使用DQ确定擦除操作状态
7
（数据查询） ， DQ
6
（切换位I）和DQ
2
（触发位II）或RY / BY输出信号。在芯片擦除开始于最后的CE或WE ，上升沿取
第一次发生在最后一个命令序列，当上DQ的数据完成
7
为“1” （见“写操作
状态“ 。 ），其时该装置返回到读模式。
扇区擦除
扇区擦除是六总线周期的操作。有2个“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。 2个“解锁”写周期再其次是扇区擦除命令是。
多个扇区可以同时写入相同的6总线周期的操作进行擦除。这个序列是
其次是扇区擦除命令，在其他部门的地址写希望被同时删除。
写操作之间的时间必须小于擦除超时时间（t
拖车
） 。否则，该命令将不
接受并删除将无法启动。建议在处理器的中断在这段时间内被禁用
保证这种状态。该中断能再次出现在最后一个扇区擦除命令写入后。超时
的“T
拖车
“从去年CE或WE的上升沿，先发生者为准，将启动该部门的执行
擦除命令（S ） 。如果内部的“T发生CE或WE的一个下降沿，先发生者为准
拖车
“时间
窗外的计时器复位（ DQ显示器
3
以确定扇区擦除定时器窗口仍处于打开状态，见
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