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MBM29LV160TM/BM
90
s
功能说明
待机模式
有两种方式来实现该设备在备用模式下，一个同时使用CE和RESET管脚，并
其他仅通过RESET引脚。
当使用两个引脚， CMOS待机模式实现CE和RESET在V输入举行
CC
±0.3
五，在
该条件所消耗的电流小于5 μA（最大值） 。在嵌入式算法操作，V
CC
活跃
电流（I
CC2
）是必需的，即使CE = “H”。该装置可以读取与标准访问时间（t
CE
）无论从
这些待机模式。
当仅使用RESET引脚，CMOS待机模式实现了与在V保持RESET输入
SS
±0.3
V（ CE =
的“H”或“L” ） 。在这种状态下所消耗的电流小于5 μA（最大值） 。一旦RESET引脚置高，
该设备需要吨
RH
作为唤醒时间为输出为有效进行读访问。
在待机模式时，输出处于高阻抗状态，而不管参考输入。
自动休眠模式
自动睡眠模式工作期间，读出装置的数据以抑制功率消耗。它可以是在有用
应用，例如便携式终端，它要求低功耗。
要激活此模式下，设备会自动切换到自己的低功耗模式时，设备地址
保持吨后保持稳定
加
30纳秒的数据有效。这是没有必要的控制的CE ，WE， OE和在该模式。该
消耗的电流通常为1
A
（ CMOS电平） 。
因为在此模式下，数据被锁存，该数据被连续地读出。当地址是
改变时，模式被自动取消，该装置读出的用于改变的地址的数据。
自选
自选模式允许读取的二进制代码和标识其制造商和type.It意
由编程设备使用用于自动地匹配装置的目的，以与被编程
其相应的规划算法。
以激活此模式中，编程设备必须迫使V
ID
在地址引脚上的
9
。两个标识符字节可以
然后可从该装置的输出通过切换甲测序
0
。所有的地址可以是高或低除A
6
,
A
1
AND A
0
。请参阅“ MBM29LV160TM / BM用户总线操作（字模式：字节= V
IH
） “和” MBM29LV160TM /
BM用户总线操作（字节模式：字节= V
IL
） “中的
sdevice
总线操作。
的制造商，设备代码，也可以通过指令寄存器读，因为当设备实例
被擦除或在系统编程，无需获得高电压对A
9
引脚。该命令序列
在说明“ MBM29LV160TM / BM标准命令定义”
sdevice
BUS OPERATION.Refer到
在“自动选择命令”
sCOMMAND
德网络nitions 。
在Word模式下，从地址00H读周期返回制造商代码（富士通= 04H ） 。读周期的
地址01H输出设备代码（ MBM29LV160TM ： 22C4h ; MBM29LV160BM ： 2249h ） 。请注意，在上述
适用于Word模式。地址和代码的那些字节模式不同。请参阅“扇区保护
在验证自动选择代码“
sdevice
总线操作。
读取模式
该装置具有在输出端获得数据所需的两个控制功能。 CE是功率控制和使用
为设备选择。 OE为输出控制和用于栅极的数据到输出引脚。
地址访问时间（t
加
）等于从稳定地址延迟到有效输出数据。芯片使能
访问时间（吨
CE
）是从稳定的地址和稳定的CE到在输出引脚的有效数据的延迟。输出
允许访问的时间是从操作环境的有效数据在输出引脚的下降沿的延迟。 （假设
地址已经稳定至少吨
加
-t
OE
时间）。当读出的数据后不改变地址
电时，输入硬件复位或改变CE引脚从“H”或“L” 。
输出禁用
随着逻辑高电平OE输入（V
IH
）中，从设备的输出被禁止。这可能导致输出管脚
是在高阻抗状态。
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