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IRF5803D2PbF
功率MOSFET特性
30
2.8
25
ID = -250μA
-VGS （ TH） （V ）
2.4
20
功率（W）的
15
10
2.0
5
1.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
100.000
TJ ，温度（° C）
时间（秒）
图15 。
典型的Vgs （次）比。
结温
图16 。
典型功耗比。时间
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