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IRF5803D2PbF
功率MOSFET特性
2000
12
CDS
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 100千赫
国际空间站
=的Cgs + Cgd的，
短
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
I
D
=
-3.4A
10
V
DS
=-32V
V
DS
=-20V
1500
C，电容（pF ）
8
西塞
1000
6
4
500
科斯
CRSS
0
1
10
100
2
0
0
5
10
15
20
25
30
-
V，漏极至源极电压（ V）
DS
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
-I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R （上）
DS
T
J
= 150
°
C
10
10
T
J
= 25
°
C
1
100sec
1
1msec
TA = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
1
10
-VDS ，漏toSource电压（V ）
100
10msec
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.8
1.2
1.6
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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