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PD- 95160A
IRF5803D2PbF
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共同封装HEXFET电源
MOSFET和肖特基二极管
理想的降压稳压器的应用
P沟道HEXFET
低V
F
肖特基整流器器
SO- 8封装
LEAD -FREE
FETKY
TM
FETKY
MOSFET &肖特基二极管
A
A
S
G
1
8
TM
K
K
D
D
V
DSS
= -40V
R
DS （ ON）
= 112m
肖特基VF = 0.51V
2
7
3
6
4
5
描述
该
家庭组合包装HEXFETs和
肖特基二极管为设计人员提供一个创新板
用于开关稳压器，节省空间的解决方案，并
电源管理应用。 HEXFETs利用
先进的加工技术，以实现极
低导通电阻每硅片面积。结合本
技术与国际整流器公司的低正向
降肖特基整流器产生一个非常有效的
装置适用于各种便携式的使用
电子应用。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架，增强散热性能。该
SO- 8封装是专为气相，红外或
波峰焊技术。
顶视图
SO-8
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -10V
连续漏电流， V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
最大
-3.4
-2.7
-27
2.0
1.3
16
± 20
-55到+150
单位
A
W
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
符号
R
θJL
R
θJA
R
θJA
参数
结到漏极引线， MOSFET
结到环境
,
MOSFET
结到环境
,
肖特基
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
20
62.5
62.5
单位
° C / W
注意事项：
重复评价 - 脉冲宽度有限的最大。结温度（参见图11）
脉冲宽度
≤
400μS - 占空比
≤
2%
表面安装在1平方英寸的铜电路板，T
≤
10sec.
www.irf.com
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10/7/04
