电气特性
SD1
SD_CLK
SD2
SD3
SD5
SD_CSn
SD_RAS
SD_CAS
SD_WE
A[23:0]
SD_BA [1 ：0]的
CMD
SD4
ROW
COL
SD11
SDDM
SD12
D[31:0]
WD1
WD2
WD3
WD4
图16. SDR写时序
SD1
SD_CLK
SD_CSn ，
SD_RAS ，
SD_CAS ，
SD_WE
A[23:0],
SD_BA [1 ：0]的
SD5
SD3
SD2
CMD
SD4
3/4 MCLK
参考
ROW
COL
tDQS
SDDM
SD6
SD_SDR_DQS
（测得输出引脚）
董事会延迟
SD8
SD_DQS [3：2 ]
（测得输入引脚）
董事会延迟
SD7
延迟
SD_CLK
SD9
D[31:0]
从
回忆
WD1
WD2
WD3
WD4
注：数据来自相关驱动的回忆
延迟内存时钟。
SD10
图17. SDR读时序
的ColdFire MCF5208
微处理器数据手册，第1
飞思卡尔半导体公司
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