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NT256D64S8HA0G
256MB ： 32M ×64
PC2100 / PC1600无缓冲DIMM
用于对模块AC时序规范的DDR SDRAM器件
( T
A
= 0 ° C 70 ℃; V
DDQ
= 2.5V ± 0.2V; V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，见AC特性） （第2部分2 ）
符号
参数
地址和控制输入建立时间
t
IS
（慢SLEWRATE ）
t
IPW
t
RPRE
t
RPST
t
RAS
t
RC
指令周期
自动刷新主动/自动刷新
t
RFC
指令周期
t
RCD
t
RAP
Autoprecharge
t
RP
t
RRD
命令
t
WR
写恢复时间
15
(t
WR
/
t
CK
)
+
(t
RP
/
t
CK
)
t
WTR
t
XSNR
命令
t
XSRD
t
REFI
退出自刷新读取命令
平均周期刷新间隔
200
15.6
200
15.6
200
15.6
t
CK
s
1,2,3,4
1, 2, 3,
4, 8
内部写读命令延迟
退出自刷新非读
75
75
80
ns
1,2,3,4
1
15
(t
WR
/
t
CK
)
+
(t
RP
/
t
CK
)
1
15
(t
WR
/
t
CK
)
+
(t
RP
/
t
CK
)
1
t
CK
1,2,3,4
t
CK
ns
1,2,3,4
预充电命令期
活跃银行A到有效的银行B
15
15
15
ns
20
20
20
ns
1,2,3,4
1,2,3,4
ACTIVE读取或写入延迟
主动阅读与命令
20
20
20
ns
20
20
20
ns
1,2,3,4
1,2,3,4
75
75
80
ns
1,2,3,4
输入脉冲宽度
阅读序言
阅读后同步
至预充电命令
要积极主动/自动刷新
65
65
70
ns
2.2
0.9
0.40
45
1.1
0.60
120,000
2.2
0.9
0.40
45
1.1
0.60
120,000
0.9
0.40
50
-
1.1
0.60
120,000
ns
t
CK
t
CK
ns
1.0
1.0
1.1
ns
-7K
分钟。
马克斯。
分钟。
-75B
马克斯。
分钟。
-8B
马克斯。
单位
笔记
2, 3, 4,
10, 11,
12, 14
2, 3, 4,
12
1,2,3,4
1,2,3,4
1,2,3,4
1,2,3,4
自动预充电写恢复+
t
DAL
预充电时间
1, 2, 3,
4, 13
初步
10
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