K4S560832C
DC特性
（推荐的工作条件，除非另有说明，T
A
= 0 70℃ ）
参数
符号
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4banks激活。
t
CCD
= 2CLKs
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
C
L
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3. K4S560832C -TC **
4. K4S560832C -TL **
5.除非另有注意到，输入摆幅级CMOS （V
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ
).
测试条件
-7C
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流
租在掉电模式
I
CC1
100
CMOS SDRAM
VERSION
-75
90
-1H
90
-1L
90
单位
记
mA
1
I
CC2
P
I
CC2
PS
I
CC2
N
2
2
20
mA
预充电待机电流
租在非掉电
模式
mA
10
6
6
30
mA
I
CC2
NS
I
CC3
P
I
CC3
PS
I
CC3
N
在活动待机电流
掉电模式
mA
在活动待机电流
非掉电模式
（一银行活动）
I
CC3
NS
25
mA
工作电流
（突发模式）
I
CC4
110
110
100
100
mA
1
刷新当前
自刷新电流
I
CC5
I
CC6
220
200
3
1.5
190
190
mA
mA
mA
2
3
4
REV 。 2001年九月0.1
