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30V N沟道功率MOSFET
概述
该AAT9060 30V N沟道功率MOSFET是一种
诺的TrenchDMOS 成员
产品系列。使用超高密度propri-
etary TrenchDMOS技术，这款产品
表明高功率处理和小尺寸。
AAT9060
特点
PWMSwitch
V
DS （ MAX）
= 30V
I
D（最大）
1
= 39A @ T
C
= 25°C
I
APP （MAX）中
= 12.5A在典型的计算机应用
低R
DS （ ON）
:
16 mΩ的@V
GS
= 10V
27 mΩ的@V
GS
= 4.5V
应用
DC- DC转换器
高电流负载开关
LDO输出
DPAK封装
漏极连接选项卡
初步信息
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
价值
30
±20
±39
±31
±60
20
41
26
-55到150
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
=150°C
1
单位
V
T
C
= 25°C
T
C
= 70°C
漏电流脉冲
3
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
T
C
= 25°C
最大功率耗散
1
T
C
= 70°C
工作结存储温度范围
A
W
°C
热特性
符号
R
θJA
R
典型值
R
θJC
描述
最大结点到环境
典型结到环境的PC板
最大结到外壳
2
价值
96
24
3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
9060.2003.05.0.9
1
