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30V N沟道功率MOSFET
典型特征
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
输出特性
60
50
40
AAT9060
传输特性
60
10V
6V
5V
4.5V
4V
3.5V
3V
V
D
=V
G
-55°C
25°C
125°C
50
40
I
DS
(A)
I
D
(A)
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
(V)
V
GS
(V)
导通电阻与漏电流
40
40
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 25A
30
30
R
DS （ ON）
(m)
R
DS （ ON）
(m)
V
GS
= 4.5V
20
20
10
10
V
GS
= 10V
0
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
0
I
D
(A)
V
GS
(V)
导通电阻与结温
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
阈值电压
0.4
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
归一化
DS （ ON）
V
GS （ TH）
方差（ V）
V
GS
= 10 V
I
D
= 25A
I
D
= 250A
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
(°C)
T
J
(C)
9060.2003.05.0.9
3
