30V N沟道功率MOSFET
电气特性
符号
描述
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=25A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=19A
V
GS
=10V, V
DS
= 5V （脉冲）
V
GS
=V
DS
, I
D
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
=0V, V
DS
=30V
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ，T
J
=70°C
V
DS
= 5V ，我
D
=9A
AAT9060
民
30
典型值
最大
单位
V
DC特性
BV
DSS
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
I
D（上）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
漏源导通电阻
通态漏电流
3
栅极阈值电压
门体漏电流
漏源极漏电流
3
13
21
60
1.0
16
27
m
A
V
nA
A
S
4
±100
1
25
20
13
25
4
3.5
12
38
21
32
16
32
g
fs
正向跨导
3
动态特性
4
Q
G
总栅极电荷
Q
GT
总栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源电荷
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
导通延迟
t
R
开启上升时间
t
D（关闭）
关断延时
t
F
关断下降时间
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极的正向电压
I
S
连续二极管电流
1
注意事项：
V
DS
= 15V ，R
D
=1.3, V
GS
=5V
V
DS
= 15V ，R
D
=1.3, V
GS
=10V
V
DS
= 15V ，R
D
=1.3, V
GS
=10V
V
DS
= 15V ，R
D
=1.3, V
GS
=10V
V
DD
= 15V ，R
D
=1.3, V
GS
=10V,
V
DD
= 15V ，R
D
=1.3, V
GS
=10V,
V
DD
= 15V ，R
D
=1.3, V
GS
=10V,
V
DD
= 15V ，R
D
=1.3, V
GS
=10V,
3
nC
R
G
=6
R
G
=6
R
G
=6
R
G
=6
ns
V
GS
=0, I
S
=20A
2
20
V
A
1.基于散热从结点到外壳。
θJC
+ R
= CA
= R
θJA
其中所述壳体热参考被定义为焊料
漏片的安装表面。
θJC
由设计，但保证
= CA
被PCB设计决定。套餐电流
仅限于30A直流和60A脉冲。
2.安装在典型的计算机主板。
3.脉冲测量300微秒。
4.通过设计保证。不受生产测试。
2
9060.2003.05.0.9
