HUF76132P3 ， HUF76132S3S
PSPICE模型电气
SUBCKT HUF76132 2 1 3 ;
CA 12 8 2.35e - 9
CB 15 14 2.35e - 9
CIN 6 8 1.45e - 9
LDRAIN
1998年五月REV
DBODY 7 5 DBODYMOD
DBREAK 5月11日DBREAKMOD
DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD
EBREAK 11 7 17 18 33.34
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 6 10 6 8 1
EVTHRES 6 21 19 8 1
EVTEMP 20 6 18 22 1
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1E- 9
LGATE 1 9 5.42e - 9
LSOURCE 3 7 4.16e - 9
MMED 16 6 8 8 MMEDMOD
MSTRO 16 6 8 8 MSTROMOD
MWEAK 16 21 8 8 MWEAKMOD
RBREAK 17 18 RBREAKMOD 1
RDRAIN 50 16 RDRAINMOD 3.5E - 4
RGATE 9 20 2.61
RLDRAIN 2 5 10
RLGATE 1 9 54.2
RLSOURCE 3 7 41.6
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1E- 6
RSLC2 5 50 1E3
RSOURCE 8 7 RSOURCEMOD 6.5-3
RVTHRES 22 8 RVTHRESMOD 1
RVTEMP 18 19 RVTEMPMOD 1
S1A
S1B
S2A
S2B
6 12 13 8 S1AMOD
13 12 13 8 S1BMOD
6 15 14 13 S2AMOD
13 15 14 13 S2BMOD
S1A
12
S1B
CA
13
8
门
1
RLGATE
DPLCAP
10
5
RLDRAIN
DBREAK
11
+
EBREAK
MWEAK
MMED
MSTRO
17
18
DBODY
漏
2
RSLC1
51
ESLC
50
RSLC2
5
51
-
ESG
+
LGATE
EVTEMP
RGATE +
18
-
22
9
20
6
8
EVTHRES
+ 19
-
8
6
CIN
S2A
14
13
S2B
13
+
6
8
CB
+
EDS
5
8
14
IT
15
17
EGS
-
-
VBAT 22 19 DC 1
ESLC 51 50值= { （V （ 5,51 ） / ABS （Ⅴ （ 5,51 ） ））* （PWR （Ⅴ （ 5,51 ）/（为1e- 6 * 450 ），3） ）}
.MODEL DBODYMOD D（ IS = 1.79E - 12 IKF = 20 RS = 5.32e - 3 TRS1 = 7E - 4 TRS2 = 1.21E - 6 CJO = 2.65e - 9 TT = 3.24e - 8 ，M = 4.2E - 1 XTI = 6）
.MODEL DBREAKMOD D（ RS = 8.25e - 2 TRS1 = 9.12e - 4 TRS2 = 8.14e - 7 ）
.MODEL DPLCAPMOD D（ CJO = 1.3E - 9 = 1E - 30 ，N = 10 ，M = 6.1E - 1 ）
.MODEL MMEDMOD NMOS （ VTO = 1.86 KP = 4 = 1E - 30 ，N = 10 TOX = 1 L = 1U W = RG 1U = 2.61 ）
.MODEL MSTROMOD NMOS （ VTO = 2.2 KP = 120 = 1E - 30 ，N = 10 TOX = 1 L = 1U W = 1U）
.MODEL MWEAKMOD NMOS （ VTO = 1.63 KP = 1E - 1 IS = 1E - 30 ，N = 10 TOX = 1 L = 1U W = 1U RG = 26.1 RS = 1E - 1 ）
.MODEL RBREAKMOD RES （ TC1 = 9.97e - 4 TC2 = 1.24E - 7 ）
.MODEL RDRAINMOD RES （ TC1 = 7.2E - 2 TC2 = 1E - 4 ）
.MODEL RSLCMOD RES （ TC1 = 1.07E - 3 TC2 = 1.25E - 6 ）
.MODEL RSOURCEMOD RES （ TC1 = 1E- 11 TC2 = 1E- 11 ）
.MODEL RVTHRESMOD RES （ TC1 = -2E- 3 TC2 = -9.2e - 6 ）
.MODEL RVTEMPMOD RES （ TC1 = -1.08e - 3 TC2 = 9.73e - 7 ）
.MODEL S1AMOD VSWITCH （ RON = 1E- 5
.MODEL S1BMOD VSWITCH （ RON = 1E- 5
.MODEL S2AMOD VSWITCH （ RON = 1E- 5
.MODEL S2BMOD VSWITCH （ RON = 1E- 5
.ENDS
ROFF = 0.1
ROFF = 0.1
ROFF = 0.1
ROFF = 0.1
VON = -6.00 VOFF = -1.00 ）
VON = -1.00 VOFF = -6.00 ）
VON = 0.00 VOFF = 1.65 ）
VON = 1.65 VOFF = 0.00 ）
注：对于PSPICE模型的进一步讨论，请参阅
一种新的PSPICE子电路的功率MOSFET拥有全球
温度选项;
IEEE电力电子专家会议记录， 1991年，写的威廉· J·赫普和C.弗兰克·惠特利。
2003仙童半导体公司
+
-
RDRAIN
21
16
-
LSOURCE
8
RSOURCE
RLSOURCE
RBREAK
18
RVTEMP
19
7
来源
3
-
VBAT
+
8
22
RVTHRES
HUF76132P3 ， HUF76132S3S牧师C1
