HUF76132P3 ， HUF76132S3S
电气规格
参数
交换特定网络阳离子
（ VGS = 10V ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图13）
-
-
-
1650
850
200
-
-
-
pF
pF
pF
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V ，我
D
44A,
R
L
= 0.341
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图14 ，图19， 20）的
-
-
-
-
-
44
25
1.8
4.80
13.50
52
30
2.2
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 15V ，我
D
75A,
R
L
= 0.20, V
GS
=
10V,
R
GS
= 6.8
（图16 ， 21 ， 22 ）
-
-
-
-
-
-
-
11
37
65
42
-
72
-
-
-
-
160
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 44A
I
SD
= 44A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 44A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
1.25
71
104
单位
V
ns
nC
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有说明
80
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
60
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（
o
C)
40
V
GS
= 4.5V
20
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2003仙童半导体公司
HUF76132P3 ， HUF76132S3S牧师C1
