HUF76132P3 ， HUF76132S3S
数据表
1999年9月
网络文件编号
4553.4
75A ， 30V ， 0.011 Ohm的N通道，逻辑
等级UltraFET功率MOSFET
这些N沟道功率MOSFET
所使用的制
创新UltraFET过程。这
先进的工艺技术
达到尽可能低的导通电阻每硅片面积，
保证了出色的性能。这种装置能够
在雪崩模式和中经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
以前发育类型TA76132 。
特点
逻辑电平栅极驱动器
75A ， 30V
超低导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.011
温度补偿PSPICE
模型
温度补偿SABER
模型
热阻抗SPICE模型
热阻抗SABER模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
HUF76132P3
HUF76132S3S
包
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
76132P
76132S
符号
D
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加后缀吨至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，例如， HUF76132S3ST 。
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
（法兰）
门
来源
JEDEC TO- 263AB
漏
（法兰）
6-130
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
UltraFET 是Intersil公司的商标。于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
SABER 比喻是一个版权公司http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HUF76132P3 ， HUF76132S3S
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
单位
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 5V） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
30
30
±16
75
44
41
图4
图6，图17，18
120
0.97
-40至150
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
V
V
V
A
A
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
OFF状态规格
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图12）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
GS
=
±16V
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图11）
I
D
= 75A ，V
GS
= 10V （图9 ，10）
I
D
= 44A ，V
GS
= 5V （图9）
I
D
= 41A ，V
GS
= 4.5V （图9）
1
-
-
-
-
0.0085
0.013
0.015
3
0.011
0.016
0.018
V
热规格
热阻结到外壳
热阻结到环境
交换特定网络阳离子
（ VGS = 4.5V ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 15V ，我
D
41A,
R
L
= 0.366, V
GS
=
4.5V,
R
GS
= 6.2
（图15 ， 21 ， 22 ）
-
-
-
-
-
-
-
17
105
33
42
-
185
-
-
-
-
113
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
θJC
R
θJA
（图3）
的TO-220 ，TO- 262和TO- 263
-
-
-
-
1.03
62
o
C / W
o
C / W
6-131
HUF76132P3 ， HUF76132S3S
典型性能曲线
2
1
热阻抗
Z
θ
JC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
+ T
C
10
-2
10
-3
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
除非另有规定编
（续）
0.01
10
-5
单脉冲
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
2000
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
V
GS
= 10V
I
1000
I
DM
峰值电流（ A）
=
I
25
150 - T
C
125
V
GS
= 5V
100
50
10
-5
跨
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
1000
500
I
AS
，雪崩电流（ A）
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
100s
100
起始物为
J
= 25
o
C
1ms
10
10ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
起始物为
J
= 150
o
C
BV
DSS MAX
= 30V
100
10
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
6-133
HUF76132P3 ， HUF76132S3S
数据表
2003年1月
75A ， 30V ， 0.011 Ohm的N通道，逻辑
等级UltraFET功率MOSFET
这些N沟道功率MOSFET
所使用的制
创新UltraFET过程。这
先进的工艺技术
达到尽可能低的导通电阻每硅片面积，
保证了出色的性能。这种装置能够
在雪崩模式和中经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
以前发育类型TA76132 。
特点
逻辑电平栅极驱动器
75A ， 30V
超低导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.011
温度补偿PSPICE
模型
温度补偿SABER
模型
热阻抗SPICE模型
热阻抗SABER模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
HUF76132P3
HUF76132S3S
包
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
76132P
76132S
符号
D
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加后缀吨至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，例如， HUF76132S3ST 。
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
（法兰）
JEDEC TO- 263AB
门
来源
漏
（法兰）
2003仙童半导体公司
HUF76132P3 ， HUF76132S3S牧师C1
HUF76132P3 ， HUF76132S3S
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
单位
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 5V） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
30
30
±20
75
44
41
图4
图6，图17，18
120
0.97
-40至150
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
V
V
V
A
A
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气规格
参数
OFF状态规格
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图12）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
GS
=
±20V
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图11）
I
D
= 75A ，V
GS
= 10V （图9 ，10）
I
D
= 44A ，V
GS
= 5V （图9）
I
D
= 41A ，V
GS
= 4.5V （图9）
1
-
-
-
-
0.0085
0.013
0.015
3
0.011
0.016
0.018
V
热规格
热阻结到外壳
热阻结到环境
交换特定网络阳离子
（ VGS = 4.5V ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 15V ，我
D
41A,
R
L
= 0.366, V
GS
=
4.5V,
R
GS
= 6.2
（图15 ， 21 ， 22 ）
-
-
-
-
-
-
-
17
105
33
42
-
185
-
-
-
-
113
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
θJC
R
θJA
（图3）
的TO-220 ，TO- 262和TO- 263
-
-
-
-
1.03
62
o
C / W
o
C / W
2003仙童半导体公司
HUF76132P3 ， HUF76132S3S牧师C1
HUF76132P3 ， HUF76132S3S
电气规格
参数
交换特定网络阳离子
（ VGS = 10V ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图13）
-
-
-
1650
850
200
-
-
-
pF
pF
pF
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V ，我
D
44A,
R
L
= 0.341
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图14 ，图19， 20）的
-
-
-
-
-
44
25
1.8
4.80
13.50
52
30
2.2
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 15V ，我
D
75A,
R
L
= 0.20, V
GS
=
10V,
R
GS
= 6.8
（图16 ， 21 ， 22 ）
-
-
-
-
-
-
-
11
37
65
42
-
72
-
-
-
-
160
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 44A
I
SD
= 44A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 44A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
1.25
71
104
单位
V
ns
nC
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有说明
80
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
60
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（
o
C)
40
V
GS
= 4.5V
20
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2003仙童半导体公司
HUF76132P3 ， HUF76132S3S牧师C1
HUF76132P3 ， HUF76132S3S
典型性能曲线
2
1
热阻抗
Z
θ
JC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
除非另有说明
（续）
0.01
10
-5
单脉冲
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
2000
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
V
GS
= 10V
I
1000
I
DM
峰值电流（ A）
=
I
25
150 - T
C
125
V
GS
= 5V
100
50
10
-5
跨
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
1000
500
I
AS
，雪崩电流（ A）
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
100s
100
起始物为
J
= 25
o
C
1ms
10
10ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
起始物为
J
= 150
o
C
BV
DSS MAX
= 30V
100
10
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
2003仙童半导体公司
HUF76132P3 ， HUF76132S3S牧师C1
HUF76132P3 ， HUF76132S3S
典型性能曲线
120
100
I
D,
漏电流（ A）
80
25
o
C
60
40
20
V
DD
= 15V
0
0
1
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
5
0
0
1
2
除非另有说明
（续）
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
120
-40
o
C
V
GS
= 10V
150
o
C
I
D
，漏电流（ A）
100
80
60
40
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
3
4
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
图8.饱和特性
18
I
D
= 75A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
16
ON电阻（mΩ ）
14
12
10
8
6
2
4
6
I
D
= 25A
I
D
= 51A
归一漏极至源极
抗性
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.6脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
1.4
1.2
1.0
0.8
8
0.6
-60
0
60
120
180
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
，结温（
o
C)
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.2
I
D
= 250A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
-60
0
60
120
180
0.9
-60
T
J
，结温（
o
C)
0
60
120
T
J
，结温（
o
C)
180
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图12.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
2003仙童半导体公司
HUF76132P3 ， HUF76132S3S牧师C1
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