t
CYC
CLK
t
SE
t
HE
t
CH
t
CL
CEN
t
的HAdV
t
SADV
ADV / LD
t
SW
t
HW
读/写
t
SA
t
HA
A
2
A
3
A
6
A
7
A
4
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
B(A2)
B （A
4
)
B （A
5
)
B （A
8
)
A
5
A
8
A
9
地址
A
1
CE
1
，CE
2(2)
组合读写周期的时序波形
(1,2,3)
IDT71V3557 ， IDT71V3559 ， 128K ×36 ， 256K ×18 ， 3.3V同步SRAM与
ZBT 功能， 3.3VI / O ，突发计数器和流过输出
商用和工业温度范围
6.42
19
t
SD
t
HD
D（一
2
)
写
t
CHZ
t
CLZ
t
疾病预防控制中心
Q （A
3
)
Q （A
1
)
读
写
D（一
4
)
写
D（一
5
)
BW
1
- BW
4
OE
数据
IN
D（一
8
)
写
t
CD
数据
OUT
Q （A
6
)
读
Q （A
7
)
读
读
5282 DRW 08
.
,
注意事项：
1. Q （A
1
）表示从外部地址A的第一输出
1
。 D（一
2
）表示输入数据到对应于地址A中的SRAM的
2
.
2. CE
2
定时转换是相同的，但反转为
CE
1
和
CE
2
信号。例如，当
CE
1
和
CE
2
是低开这种波形，CE
2
为高。
3.单个字节的写入信号（ BWX ）必须在所有写入和突发写周期有效。当R / W信号采样为低电平写入周期开始。字节写信息来自于一个周期之前
实际的数据被呈现到SRAM中。
