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16兆位同步DRAM
（第二代）
先进的信息
高性能：
CAS延时= 3
-8
125
8
7
-10
100
10
8
单位
兆赫
ns
ns
HYB 39S16400 / 800 / 160AT - 8 / -10
多种突发读与写单
手术
自动和控制预充电
命令
读/写控制数据面膜（ × 4 ，
×
8)
双数据掩码字节控制（ × 16 ）
自动刷新（ CBR）和自刷新
挂起模式和掉电模式
4096刷新周期/ 64毫秒
随机列地址每CLK
（ 1 -N规则）
3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL接口版本
塑料包装：
P- TSOPII - 44-1 400密耳的宽度（ × 4 ，
×
8)
P- TSOPII - 50-1 400密耳的宽度（ × 16 ）
f
CK
t
CK3
t
AC3
单脉冲RAS接口
完全同步的时钟上升沿
= 0至70
°C
工作温度
双由银行控制的A11 （库选择）
可编程CAS延时： 1 ， 2 ， 3
可编程的缠绕顺序：顺序
或交织
可编程突发长度：
1，2， 4，8和全页顺序类型
1，2， 4，8为交错型
该HYB 39S1640x / 80X / 16xAT是双行同步DRAM的基础上，模具修改“B”
和“C” ，并组织成2银行
×
2兆位
×
4 ， 2银行
×
1兆位
×
8和2银行
×
512千位
×
16
分别。这些同步设备实现高速数据传输速率高达125 MHz由
采用芯片体系结构，预取多个位，然后，可以同步的数据输出到
一个系统时钟。被制造与西门子先进芯片的16 Mb DRAM制程技术。
该装置设计，以符合同步DRAM产品设置的所有JEDEC标准，
在电气上和机械上。所有的控制，地址，数据输入和输出电路中是
用外部提供的时钟的上升沿同步。
操作两个存储体中以交错的方式允许随机存取操作发生
在更高的速度可能比标准的DRAM 。最多的连续和无缝数据速率
125兆赫可能因突发长度， CAS延迟和设备的速度等级。
自动刷新（ CBR）和自刷新操作的支持。这些设备与单个操作
3.3 V
±
0.3 V电源供电，在TSOPII封装。
半导体集团
1
1998-10-01
