典型电气特性
（续）
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
1.1
2
漏源击穿电压
I
D
= 250A
I
S
，反向漏电流（ A）
1.075
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
-50
1
0 .5
V
GS
= 0V
BV
DSS
归一化
TJ = 1 2 5℃
0 .1
0 .0 5
25°C
-5 5 ° C
0 .0 1
0 .0 0 5
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结tem温度（ ° C）
125
150
0 .0 0 1
0 .2
0 .4
V
SD
0 .6
0 .8
1
1 .2
，体二极管FORW一个RD电压（V ）
1 .4
图7.击穿电压变化
随温度
图8.体二极管正向电压的变化与
60
40
10
V
DS
= 2 5 V
国际空间站
20
V
GS
，栅源电压（V ）
8
电容（pF）
OSS
10
6
I
D
= 5 0 0为m的
4
5
RSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
1
2
V
DS
3
5
10
20
，漏源极电压（ V）
30
50
2
2
280米一
115米一
1
0
0
0 .4
0 .8
1 .2
Q
g
，栅极电荷（ NC）
1 .6
2
图9.电容特性
图10.栅极电荷特性
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
输出时，VOUT
V
GS
10%
10%
90%
R
根
倒
G
输入，输入电压
S
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11 。
图12.开关波形
2N7000.SAM牧师A1
