1995年11月
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这些N沟道增强型场效应晶体管
采用飞兆半导体专有的，高密度的生产，
DMOS技术。这些产品已被设计成
最大限度地减少通态电阻，同时提供坚固，可靠，
和快速开关性能。它们可以在大多数使用
需要高达400mA的DC ，并且可以提供应用程序
脉冲电流高达2A 。这些产品特别
适用于低电压，低电流的应用，如小
伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器，以及其他
开关应用。
特点
高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
电压控制的小信号开关。
坚固可靠。
高饱和电流能力。
___________________________________________________________________________________________
D
G
D
G
S
TO-92
2N7000
S
(TO-236AB)
2N7002/NDS7002A
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
2N7000
2N7002
NDS7002A
单位
V
DSS
漏源电压
60
60
V
V
V
V
DGR
V
GSS
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 不重复（ TP ＆ LT ;为50μs ）
±
20
±
40
200
500
400
3.2
-55到150
300
115
800
200
1.6
280
1500
300
2.4
-65到150
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
上述25降额
o
C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 16"分之1案件从10秒
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
312.5
625
417
° C / W
1997仙童半导体公司
2N7000.SAM牧师A1
电气特性
T
符号
参数
A
= 25
o
C除非另有说明
条件
典型值
e
民
典型值
最大
单位
基本特征
持续
（注1 ）
I
D（上）
通态漏电流
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V, V
DS
＆ GT ; 2 V
DS （ ON）
V
GS
= 10 V, V
DS
＆ GT ; 2 V
DS （ ON）
2N7000
2N7002
NDS7002A
2N7000
2N7002
NDS7002A
75
500
500
100
80
80
600
2700
2700
320
320
320
20
11
4
50
25
5
10
mA
g
FS
正向跨导
V
DS
= 10 V，I
D
= 200毫安
V
DS
＆ GT ; 2 V
DS （ ON）
, I
D
= 200毫安
V
DS
＆ GT ; 2 V
DS （ ON）
, I
D
= 200毫安
mS
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
所有
所有
所有
pF
pF
pF
ns
V
DD
= 15 V ，R
L
= 25
,
I
D
= 500毫安， V
GS
= 10 V,
R
根
= 25
V
DD
= 30 V ，R
L
= 150
,
I
D
= 200毫安， V
GS
= 10 V,
R
根
= 25
2N7000
2N700
NDS7002A
20
t
关闭
打开-O FF时间
V
DD
= 15 V ，R
L
= 25
,
I
D
= 500毫安， V
GS
= 10 V,
R
根
= 25
V
DD
= 30 V ，R
L
= 150
,
I
D
= 200毫安， V
GS
= 10 V,
R
根
= 25
2N7000
10
ns
2N700
NDS7002
A
20
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 115毫安
（注1 ）
V
GS
= 0 V，I
S
= 400毫安
（注1 ）
2N7002
NDS7002A
2N7002
NDS7002A
2N7002
NDS7002
A
115
280
0.8
1.5
0.88
0.88
1.5
1.2
mA
A
V
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度＆ LT ; 300μS ，占空比＆ LT ; 2.0％。
2N7000.SAM牧师A1
典型电气特性
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
2
3
V
GS
= 10V
，漏源电流（A ）
1 .5
9.0
8.0
7.0
6.0
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2 .5
V
GS
=4.0V
4 .5
5 .0
6 .0
2
1
7 .0
1 .5
5.0
0 .5
8 .0
9 .0
10
4.0
3.0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
4
5
1
I
0
D
0 .5
0
0 .4
0 .8
1 .2
I
D
， DRA电流（ A）
1 .6
2
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与门
电压和漏极电流
2
3
V
GS
= 10V
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
漏源导通电阻
2 .5
1.75
I
D
= 5亿
R
DS （ ON）
归一化
R
DS （ ON）
归一化
1.5
2
TJ = 1 2 5℃
1.25
1 .5
25°C
1
1
-55°C
0 .5
0.75
0.5
-5 0
-2 5
0
25
50
75
100
T，结牛逼EMPERATURE （ ° C）
J
125
150
0
0
0 .4
0 .8
1 .2
I
D
，漏电流（ A）
1 .6
2
图3.导通电阻变化
随温度
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
2
1 .1
V
th
归一化
门源阈值电压
V
DS
= 10V
1.6
I
D
，漏电流（ A）
T J = -55°C
25°C
125°C
1 .0 5
V
DS
= V
GS
I
D
= 1毫安
1
1.2
0 .9 5
0.8
0 .9
0.4
0 .8 5
0
0
2
V
GS
4
6
8
，门源电压（ V）
10
0 .8
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结tem温度（ ° C）
125
150
图5.传输特性
图6.门阈值变化与
温度
2N7000.SAM牧师A1
典型电气特性
（续）
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
1.1
2
漏源击穿电压
I
D
= 250A
I
S
，反向漏电流（ A）
1.075
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
-50
1
0 .5
V
GS
= 0V
BV
DSS
归一化
TJ = 1 2 5℃
0 .1
0 .0 5
25°C
-5 5 ° C
0 .0 1
0 .0 0 5
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结tem温度（ ° C）
125
150
0 .0 0 1
0 .2
0 .4
V
SD
0 .6
0 .8
1
1 .2
，体二极管FORW一个RD电压（V ）
1 .4
图7.击穿电压变化
随温度
图8.体二极管正向电压的变化与
60
40
10
V
DS
= 2 5 V
国际空间站
20
V
GS
，栅源电压（V ）
8
电容（pF）
OSS
10
6
I
D
= 5 0 0为m的
4
5
RSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
1
2
V
DS
3
5
10
20
，漏源极电压（ V）
30
50
2
2
280米一
115米一
1
0
0
0 .4
0 .8
1 .2
Q
g
，栅极电荷（ NC）
1 .6
2
图9.电容特性
图10.栅极电荷特性
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
输出时，VOUT
V
GS
10%
10%
90%
R
根
倒
G
输入，输入电压
S
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11 。
图12.开关波形
2N7000.SAM牧师A1
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