典型电气特性
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
2
3
V
GS
= 10V
，漏源电流（A ）
1 .5
9.0
8.0
7.0
6.0
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2 .5
V
GS
=4.0V
4 .5
5 .0
6 .0
2
1
7 .0
1 .5
5.0
0 .5
8 .0
9 .0
10
4.0
3.0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
4
5
1
I
0
D
0 .5
0
0 .4
0 .8
1 .2
I
D
， DRA电流（ A）
1 .6
2
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与门
电压和漏极电流
2
3
V
GS
= 10V
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
漏源导通电阻
2 .5
1.75
I
D
= 5亿
R
DS （ ON）
归一化
R
DS （ ON）
归一化
1.5
2
TJ = 1 2 5℃
1.25
1 .5
25°C
1
1
-55°C
0 .5
0.75
0.5
-5 0
-2 5
0
25
50
75
100
T，结牛逼EMPERATURE （ ° C）
J
125
150
0
0
0 .4
0 .8
1 .2
I
D
，漏电流（ A）
1 .6
2
图3.导通电阻变化
随温度
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
2
1 .1
V
th
归一化
门源阈值电压
V
DS
= 10V
1.6
I
D
，漏电流（ A）
T J = -55°C
25°C
125°C
1 .0 5
V
DS
= V
GS
I
D
= 1毫安
1
1.2
0 .9 5
0.8
0 .9
0.4
0 .8 5
0
0
2
V
GS
4
6
8
，门源电压（ V）
10
0 .8
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结tem温度（ ° C）
125
150
图5.传输特性
图6.门阈值变化与
温度
2N7000.SAM牧师A1
