飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2520AF
100
的hFE
TJ = 25℃
1.2
1.1
1
VBESAT / V
TJ = 25℃
5V
TJ = 125℃
TJ = 125℃
10
1V
0.9
IC 。
0.8
0.7
8A
6A
5A
4A
0
1
2
IB / A
3
4
1
0.6
0.1
1
IC / A
10
100
图7 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
参数V
CE
VBESAT / V
TJ = 25℃
TJ = 125℃
图10 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
VCESAT / V
TJ = 25℃
TJ = 125℃
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
10
8A
1
IC / IB =
3
4
5
0.1
5A
IC = 4的
6A
0.1
1
IC / A
10
0.1
1
IB / A
10
图8 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
VCESAT / V
IC / IB =
5
4
3
图11 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
EOFF / UJ
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
1000
IC = 6的
32千赫
5A
100
16千赫
TJ = 25℃
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
TJ = 125℃
10
1
IC / A
10
100
0.1
1
IB / A
10
图9 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
图12 。典型的关断损耗。牛逼
j
= 85C
EOFF = F （I
B
） ;参数I
C
;参数频率
1997年9月
4
启1.500
