添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第330页 > BU2520AF
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU2520AF
描述
·带
TO- 3PFa包
高
电压
高
高速开关
应用
在水平偏转电路中使用
大屏幕彩色电视接收机。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基地集电极电流（ DC ）
基极电流（脉冲）
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
7.5
10
25
6
9
45
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
BU2520AF
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
800
V
V
EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
B
= 1毫安，我
C
=0
7.5
13.5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2 A
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2 A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
j
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
=0
1.1
1.0
2.0
1.0
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
13
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
5
7
9.5
C
C
集电极电容
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=10V
115
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU2520AF
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU2520AF
描述
·带
TO- 3PFa包
高
电压
高
高速开关
应用
在水平偏转电路中使用
大屏幕彩色电视接收机。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
导½
半
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
ES
昂
CH
发射极开路
开基
MIC
E
条件
ND
O
OR
UCT
价值
1500
800
7.5
10
25
6
9
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
集电极开路
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基地集电极电流（ DC ）
基极电流（脉冲）
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25℃
45
150
-65~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
BU2520AF
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
800
V
V
EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
B
= 1毫安，我
C
=0
7.5
13.5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2 A
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2 A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
j
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
=0
1.1
1.0
2.0
1.0
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
固电
IN
直流电流增益
导½
半
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
C
C
集电极电容
ES
昂
CH
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=10V
ND
ICO
EM
5
OR
UCT
7
9.5
115
pF
13
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU2520AF
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2520AF
概述
新一代高电压，在一个塑料全包封套设计用于使用高速开关NPN晶体管
大屏幕彩色电视接收机的水平偏转电路可达32 kHz 。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
6.0
0.2
马克斯。
1500
800
10
25
45
5.0
-
0.35
单位
V
V
A
A
W
V
A
s
T
hs
≤
25 C
I
C
= 6.0 A;我
B
= 1.2 A
I
CSAT
= 6.0 A;我
B（完）
= 0.85 A
钉扎 - SOT199
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
例
符号
c
b
1
2
3
孤立的情况下，
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
B（ AV ）
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
反向基极电流
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
1500
800
10
25
6
9
150
6
45
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
C
C
平均超过任何20 ms周期
T
hs
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到散热器
结到环境
条件
无散热化合物
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
-
35
马克斯。
3.7
2.8
-
单位
K / W
K / W
K / W
1
关断电流。
1997年9月
1
启1.500
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2520AF
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
22
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 6.0 A;我
B
= 1.2 A
I
C
= 6.0 A;我
B
= 1.2 A
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 6 A; V
CE
= 5 V
分钟。
-
-
-
7.5
800
-
-
-
5
典型值。
-
-
-
13.5
-
-
-
13
7
马克斯。
1.0
2.0
1.0
-
-
5.0
1.1
-
9.5
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
C
c
参数
集电极电容
开关时间（ 32 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间（ 16 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CSAT
= 6.0 A; L
C
= 330
H;
C
fb
= 9 nF的;
I
B（完）
= 0.85 ; L
B
= 3.45
H;
-V
BB
= 4 V ; （ -dI
B
/ DT = 1.2 A /
s)
I
CSAT
= 6.0 A; L
C
= 650
H;
C
fb
= 19 nF的;
I
B（完）
= 1.0 A; L
B
= 5.3
H;
-V
BB
= 4 V;
（ -dI
B
/ DT = 0.8 A /
s)
4.5
0.35
5.5
0.5
s
s
典型值。
115
马克斯。
-
单位
pF
3.0
0.2
4.0
0.35
s
s
2
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1997年9月
2
启1.500
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2520AF
+ 50v
100-200R
IC
晶体管
二极管
ICsat
t
IB
IBend
t
横
示波器
垂直
32us
10us
13us
100R
6V
30-60赫兹
1R
VCE
t
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间波形（ 32千赫） 。
IC / MA
ICsat
90 %
IC
250
10 %
200
ts
IB
tf
t
100
IBend
t
0
VCE / V
民
VCEOsust
- IBM
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。开关时间的定义。
晶体管
IC
二极管
ICsat
+ 150V，额定
调整ICsat
t
Lc
IB
IBend
t
20us
26us
IBend
64us
VCE
LB
T.U.T.
CFB
-VBB
t
如图3所示。开关时间波形（ 16千赫） 。
图6 。开关时间测试电路。
1997年9月
3
启1.500
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2520AF
100
的hFE
TJ = 25℃
1.2
1.1
1
VBESAT / V
TJ = 25℃
5V
TJ = 125℃
TJ = 125℃
10
1V
0.9
IC 。
0.8
0.7
8A
6A
5A
4A
0
1
2
IB / A
3
4
1
0.6
0.1
1
IC / A
10
100
图7 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
参数V
CE
VBESAT / V
TJ = 25℃
TJ = 125℃
图10 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
VCESAT / V
TJ = 25℃
TJ = 125℃
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
10
8A
1
IC / IB =
3
4
5
0.1
5A
IC = 4的
6A
0.1
1
IC / A
10
0.1
1
IB / A
10
图8 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
VCESAT / V
IC / IB =
5
4
3
图11 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
EOFF / UJ
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
1000
IC = 6的
32千赫
5A
100
16千赫
TJ = 25℃
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
TJ = 125℃
10
1
IC / A
10
100
0.1
1
IB / A
10
图9 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
图12 。典型的关断损耗。牛逼
j
= 85C
EOFF = F （I
B
） ;参数I
C
;参数频率
1997年9月
4
启1.500
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2520AF
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
TS ， TF /美
16千赫
ts
120
110
100
90
80
70
60
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
IC =
6A
5A
tf
0.1
1
IB / A
10
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
图13 。典型的集热器存储和下降时间。
TS = F（我
B
） ; TF = F（我
B
） ;参数I
C
; T
j
= 85℃ ; F = 16千赫
TS ， TF /美
32千赫
图15 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
= F（T
hs
)
第Z / （K / W）
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
ts
0.1
IC =
6A
5A
tf
10
0.01
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0.1
1
IB / A
D=0
0.001
1E-06
T
1E-04
1E-02
T / S
1E+00
图14 。典型的集热器存储和下降时间。
TS = F（我
B
） ; TF = F（我
B
） ;参数I
C
; T
j
= 85℃ ; F = 32千赫
图16 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1997年9月
5
启1.500
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU2520AF
描述
·采用TO- 3PFa包
·高电压
·高速开关
应用
·对于在水平偏转电路中使用
大屏幕彩色电视接收机。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基地集电极电流（ DC ）
基极电流（脉冲）
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
7.5
10
25
6
9
45
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
BU2520AF
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
800
V
V
EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
B
= 1毫安，我
C
=0
7.5
13.5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2 A
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2 A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
j
=125
V
EB
= 7.5V ;我
C
=0
1.1
1.0
2.0
1.0
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
13
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
5
7
9.5
C
C
集电极电容
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=10V
115
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU2520AF
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU2520AF
描述
·带
TO- 3PFa包
高
电压
高
高速开关
应用
在水平偏转电路中使用
大屏幕彩色电视接收机。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
导½
半
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
ES
昂
CH
发射极开路
开基
MIC
E
条件
ND
O
OR
UCT
价值
1500
800
7.5
10
25
6
9
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
集电极开路
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基地集电极电流（ DC ）
基极电流（脉冲）
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25℃
45
150
-65~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
BU2520AF
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
800
V
V
EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
B
= 1毫安，我
C
=0
7.5
13.5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2 A
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2 A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
j
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
=0
1.1
1.0
2.0
1.0
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
固电
IN
直流电流增益
导½
半
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
C
C
集电极电容
ES
昂
CH
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=10V
ND
ICO
EM
5
OR
UCT
7
9.5
115
pF
13
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU2520AF
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
查看更多BU2520AFPDF信息
推荐型号
B048K030M21
B84312C0110E001
B32916A3335K000
BZG03-C18/T1
BCM3351
BCM4780P
B41505A5688M002
B5170-02
BZ-3AT
BOS502
B84108
BHC0005
B43540E2477M080
B32524Q1685
B32524-Q1685
B84114-D-K60
B41252A3229M000
BTA12-200AW
B43564C2478M007
BZT52C22LP-7
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BU2520AF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BU2520AF
PHILIPS/飞利浦
21+
10000
TO-3P
全新原装正品/质量有保证
上海齐创科技有限公司（上海青岛北京）
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2394092314 复制 点击这里给我发消息 QQ：792179102 复制 点击这里给我发消息 QQ：841523240 复制

电话：021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
联系人：李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
地址：上海公司：上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司：海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司：城阳区正阳路205号海都国际A座805
BU2520AF
PHI
25+热销
5500特价
TO-3PF
【优势库存】专业代理全新现货特价热卖
深圳市华创欧科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ：1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ：2319599090 复制
电话：0755-23945755 83248872
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
BU2520AF
PHILIPS
22+
22620
TO3P
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BU2520AF
PHILIPS
1922+
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
BU2520AF
PHILIPS/飞利浦
18+
16000
TO-3PF
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BU2520AF
PHILIPS/飞利浦
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BU2520AF
PHILIPS/飞利浦
24+
8640
TO-3PF
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
BU2520AF
PHILIPS
25+23+
21500
TO-3P
绝对全新原装现货！原装原标原包渠道优势！
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BU2520AF
PHILIPS
1922+
9825
TO-3PF
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BU2520AF
PHILIPS
9620+
736
原装正品，支持实单
查询更多BU2520AF供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！