飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2520AF
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
22
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 6.0 A;我
B
= 1.2 A
I
C
= 6.0 A;我
B
= 1.2 A
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 6 A; V
CE
= 5 V
分钟。
-
-
-
7.5
800
-
-
-
5
典型值。
-
-
-
13.5
-
-
-
13
7
马克斯。
1.0
2.0
1.0
-
-
5.0
1.1
-
9.5
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
C
c
参数
集电极电容
开关时间（ 32 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间（ 16 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CSAT
= 6.0 A; L
C
= 330
H;
C
fb
= 9 nF的;
I
B（完）
= 0.85 ; L
B
= 3.45
H;
-V
BB
= 4 V ; （ -dI
B
/ DT = 1.2 A /
s)
I
CSAT
= 6.0 A; L
C
= 650
H;
C
fb
= 19 nF的;
I
B（完）
= 1.0 A; L
B
= 5.3
H;
-V
BB
= 4 V;
（ -dI
B
/ DT = 0.8 A /
s)
4.5
0.35
5.5
0.5
s
s
典型值。
115
马克斯。
-
单位
pF
3.0
0.2
4.0
0.35
s
s
2
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1997年9月
2
启1.500
