AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack
4.2
资格考试方法
塑料包装的CMOS集成电路的一般要求：
标准
MIL -STD 883
方法1005
MIL -STD 883
方法1005
MIL -STD 883
方法3015.7
JEDEC 78
AEC Q100
方法005
AEC Q100
方法005
MIL -STD 883
方法1010
ATMEL
PAQA0184
EIA
JESD22-A101
EIA
JESD22-A110
EIA
20 JEDEC -STD
MIL -STD 883
方法2003
MIL -STD 883
方法2015年
测试说明
电寿命试验（早期故障率）
48小时140℃
电寿命试验（潜故障率）
千小时140℃动态或静态
静电放电HBM
+/- 2000V 1.5kOhm / 100pF电容/ 3脉冲
闭锁
50mW的功率注入， 50 ％的过电压@ 125°C
NVM耐力
程序擦除周期25℃
NVM数据保留
高温储存165℃
温度循环
1000次-65 ℃/ 150 ℃的空气/空气
预处理后的HAST
144小时130 ℃/ 85 ％RH下
85/85湿度测试
千小时85 ℃/ 85 ％RH下
HAST
336小时130 ℃/ 85 ％RH下
预处理
焊接应力220 ℃/ 235 ℃/ 3次
可焊性
的永久性标记
验收
0/300 - 48h
0/100 - 500h
0/3每升一级
0/5每个压力
0/50 - 10kc
0/50 - 500h
0/50 - 500c
0/50 – 96h
0/50 - 500h
0/50 - 168h
0/11每班
0/3
0/5
8
第0版 - 2003年7月
