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LTC3733/LTC3733-1
应用S我FOR ATIO
δ
= 0.005 / ℃，可以作为一种近似为低
电压的MOSFET 。
肖特基二极管D1至D3 ，如图1所示进行
在2的导通之间的死区时间
大功率MOSFET 。这防止的体二极管
从开启，在存储电荷的底部MOSFET
死区时间和要求的反向恢复期间
这可能花费高达百分之几的效率。
A 2A至8A肖特基通常是一个很好的妥协
操作由于相对小的两个区域
平均电流。较大的二极管导致额外跃迁
化损失由于其较大的结电容。
C
IN
和C
OUT
选择
输入电容的ESR的要求和效率损失
在多相体系结构显着减小
因为从输入电容器吸收的峰值电流
通过用相位的数量被有效地分割和
功耗是成正比的RMS电流的平方。一
3级，单输出电压实现可以减少
输入路径的功率损失减少90％ 。
在连续模式下，每一个顶部的电源电流
N沟道MOSFET是方波的占空比V
OUT
/V
IN
.
低ESR的输入电容的大小为最大RMS
电流必须被使用。紧密型方程的细节
可以在应用笔记中找到77图6显示了
输入电容纹波电流的相位不同组态
配给与输出电压固定和输入电压
多种多样的。输入纹波电流归反对
直流输出电流。该图可以代替使用
繁琐的计算。最小输入纹波电流
时可以实现相数的乘积和
输出电压，N- （Ⅴ
OUT
） ，近似等于所述
输入电压V
IN
或：
V
OUT
k
=
其中K
=
1, 2, ..., N – 1
V
IN
N
RMS输入纹波CURRNET
直流负载电流
16
U
这样的相数可以被选择以最小化输入
电容的大小为给定的输入和输出电压。
在图6的曲线图中，当地最大输入有效值
电容电流时达到：
W
U U
V
OUT
2k – 1
=
其中K
=
1, 2, ..., N
V
IN
N
这些最坏的条件下，通常用于DE-
签名因为即使显著偏差不会提供多少
救灾。需要注意的是电容制造商的纹波电流
收视率往往是基于只有两千小时的寿命。这
使得它建议进一步减免电容或
选择额定温度高于再一个电容器
quired 。几个电容器也可并联以满足
在设计尺寸和高度的要求。务必咨询
电容器制造商，如果有任何问题。
在图6中曲线示出的峰值输入电流有效值
线性减少，成反比的数目N
阶段使用。要注意，重要的是在英法fi效率
损耗正比于输入的RMS电流的平方和
因此，在90％的3阶段执行结果少
相比单相设计时的功率损耗。
电池/输入保护保险丝电阻器（如果使用） ，PC
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1-PHASE
2-PHASE
3-PHASE
4-PHASE
6-PHASE
0.1
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
DUTY FACTOR （V
OUT
/V
IN
)
0.8
0.9
3733 F06
图6.归一化输入纹波电流
VS占空比为一至小六的输出阶段
3733f
