LTC3733/LTC3733-1
应用S我FOR ATIO
米勒效应
V
GS
a
Q
IN
C
磨坊主
= (Q
B
– Q
A
)/V
DS
b
V
GS
V
3733 F05
图5.栅极电荷特性
成一个共源极的栅极，电流源装
阶段，然后标绘的栅极电压与时间的关系。该
初始斜率是栅极 - 源极和栅极的作用
漏电容。曲线的平坦部分的
的漏 - 的密勒电容效应的结果
源电容作为漏滴两端的电压
电流源负载。上倾斜线是由于
的漏极 - 栅极积累电容和栅
源电容。米勒电荷（增加
上从一个水平轴库仑为b ，而曲线
平的）被指定为给定的V
DS
漏极电压，但也可以是
调整不同的V
DS
电压通过由乘法
该应用程序的V比
DS
到指定的曲线V
DS
值。一种方法来估计了C
磨坊主
长期是走
在栅极电荷的变化，从点a和b上的制造
商的数据表，然后除以规定的V
DS
电压
指定的。
磨坊主
是最重要的选择标准
用于确定所述过渡损耗项在高端MOSFET
但没有直接指定的MOSFET数据表。
RSS
和C
OS
有时被指定但这些定义
参数不包括在内。
当控制器在连续模式中操作的
工作循环的顶部和底部MOSFET是由下式给出：
主开关管的占空比
=
V
OUT
V
IN
V –V
同步开关的占空比
=
IN OUT
V
IN
U
V
IN
W
U U
功耗为主体和同步
MOSFET的最大输出电流由下式给出：
V
I
P
主
=
OUT
最大
(
1
+ δ
)
R
DS （ ON）
+
V
IN
N
I
V
IN2 MAX
(
R
DR
)(
C
磨坊主
)
2N
1
1
+
(
f
)
V
CC
– V
TH（分钟）
V
TH（分钟）
V –V
I
P
SYNC
=
IN OUT
最大
(
1
+ δ
)
R
DS （ ON）
N
V
IN
其中，N是输出级的数目，
δ
是温
的R TURE依赖
DS （ ON）
, R
DR
是有效的顶部驱动
电阻（约2Ω在V
GS
= V
磨坊主
), V
IN
为
潜在的漏
和
在漏极电位的变化，在
具体的应用。 V
TH（分钟）
是指定的数据表
在功率指定典型栅极阈值电压
MOSFET的数据表。
磨坊主
是所计算的电容
使用栅极电荷曲线从MOSFET的数据表
和上面描述的技术。
两个MOSFET有我
2
损失，而上部N沟道
公式包含一个附加的术语转换损耗，
该峰在最高输入电压。对于V
IN
< 12V时，
大电流EF网络效率普遍提高较大
的MOSFET ，而对于V
IN
> 12V的转换损耗
迅速增加的点，使用较高
R
DS （ ON）
器件具有较低的
RSS
实际上提供了更高的
效率。同步MOSFET的损耗是最大的
在高输入电压时的顶开关占空因数低
或短路期间，当同步开关是
在接近期限的100 ％ 。
术语（1+
δ
）一般为在一个给定的MOSFET
归一化的R形
DS （ ON）
与温度的曲线，但
2
2
V
DS
3733f
15
