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LTC3733/LTC3733-1
应用S我FOR ATIO
如此使用的相数可以进行选择，以最小化
输出纹波电流，所以产生的输出纹波
电压在给定的输入和输出电压。在应用
有系统蒸发散高度变化的输入电压，另外的
相将产生最佳结果。
接受更大的价值
I
L
允许使用低
电感，但可能会导致更高的输出电压纹波。
一个合理的起点设置纹波电流
I
L
= 0.4(I
OUT
） / N，其中N是信道数和
I
OUT
是总的负载电流。请记住，最大
I
L
出现在最大输入电压。个人
电感纹波电流由常数决定
电感，输入和输出电压。
1.0
0.9
0.8
0.7
I
O（ P-P ）
V
O
/ FL
1-PHASE
2-PHASE
3-PHASE
4-PHASE
6-PHASE
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
DUTY FACTOR （V
OUT
/V
IN
)
0.8
0.9
3733 F04
图4.归一化峰值输出电流
VS占空比[I
RMS
= 0.3(I
O（ P-P ）
]
电感磁芯的选择
一旦对L1到L3的值是已知的，电感器的类型
必须选择。高效率的转换器一般
不能承受在低成本的粉末中发现的磁心损耗
铁芯，强制使用的铁素体，钼坡莫合金或
库尔Mμ
内核。实际铁心损耗是独立核心的
大小为固定的电感值，但它是非常依赖于
电感的选择。随着电感增加，磁芯损耗
往下走。不幸的是，增加了电感的要求
丝多匝，因此铜损会
增加。
14
U
铁素体的设计具有非常低的磁芯损耗和优选
在高开关频率，因此设计目标可以
专注于铜损和防止饱和。
铁氧体磁芯材料饱和“硬”，这意味着，
电感突然崩溃高峰时的设计
电流超标。这导致的突然增大
电感纹波电流和由此产生的输出电压
纹波。不要让核心的饱和！
功率MOSFET和D1 ，D2，D3的选择
至少两个外部功率MOSFET必须选择
每三个输出段：一个N沟道MOSFET
对于顶部（主）开关和一个或多个N沟道
MOSFET的（多个）的底部（同步）开关。该
数量，类型和“开”的所有MOSFET的电阻选定的
考虑到电压降压比以及所述
实际位置（主或同步），其中MOSFET
将被使用。一个更小和更低的输入
电容的MOSFET应该用于高端MOSFET
在具有一个输出电压，该电压小于应用
1/3的输入电压无关。在应用中，其中V
IN
>> V
OUT
,
“对”性顶部MOSFET的通常是祁门功夫，功夫少
坦的整体效率比其输入电容
工作频率高于300kHz的。 MOSFET制造
商都设计了专用的设备提供
合理的低“的”性与显著降低
输入电容在开关主开关的应用
荷兰国际集团监管。
的峰对峰的MOSFET栅极驱动电平被设定
电压，V
CC
，因此需要使用的逻辑电平的阈值
的MOSFET ，在大多数应用中。密切关注
BV
DSS
规范了MOSFET的为好;许多的
逻辑电平的MOSFET被限制在30V或更低。
对功率MOSFET的选择标准包括“ON”的
电阻R
SD （ON）的
输入电容，输入电压和
最大输出电流。
MOSFET的输入电容是几种的组合
组件，但可以从典型的“门
负责“曲线包括在大多数数据表（图5） 。
该曲线是通过强制的恒定输入电流产生
库尔Mμ是磁，Inc.的注册商标。
3733f
W
U U
