ISL6232
输入电容的选择
输入电容必须满足输入纹波电流
(I
RMS
）要求的开关电流罚款。该
ISL6232双开关稳压器在相同的工作
开关频率与异相。这种交错
由两个监管机构，并有拉电流脉冲无
在正常操作重叠时间。该RMS电流输入
当两个稳压器相比，操作更小
在阶段或在不同的开关频率下操作。该
RMS电流输入随负载和输入电压。
该RMS电流最大输入电容为一个单一的降压
调节器由下式给出：
V
OUT
(
V
IN
–
V
OUT
)
-
I
RMS
=
I
OUT
--------------------------------------------------------
V
IN
最佳效率发生在开关损耗
相等的导通损耗。但是，它是困难的
计算中的高侧MOSFET的开关损耗
因为它必须允许难以量化的因素
影响力的导通和关断时间。这些因素
包括MOSFET内部栅极电阻，栅极电荷，
阈值电压时，寄生电感，且上拉和上拉
栅极驱动器的下拉电阻。下面的开关
损耗计算提供一个粗略的估计。
（当量18）的
Q
gd
Q
gd
1
1
- -
-
-
P
Q1
,
开关
= --
V
IN
I
LV
f
s
------------------------ + --
V
IN
I
LP
f
s
---------------- +
Q
rr
V
IN
f
s
I
g
,
来源
2
I
g
,
罪
2
（当量16）
当V
IN
= 2V
OUT
（D = 50％），我
RMS
具有的最大电流
I
OUT
/ 2 。输入电容器的ESR为重要
确定电容的功率耗散。所有的电源（I
2rms
X ESR）的加热电容和降低了效率。不
钽化学（陶瓷，聚合物如POSCAP ，或
SPCAP ），因为它们的低ESR和应变能力
上电时的浪涌电流。选择输入电容的
显示出小于+ 10°C的温度上升在RMS输入
目前最佳的电路寿命。
其中Q
gd
：漏极 - 栅极电荷Q
rr
：总的反向恢复
电荷的体二极管的低侧MOSFET ，我
LV
：电感
谷值电流，我
LP
：是电感峰值电流，I
G， SINK
和
I
g
,
来源
是Q1的峰值栅极驱动源出/吸入电流。
以实现低开关损耗，需要低的漏 - 栅
电荷Q
gd
。通常，越低的漏极 - 栅极电荷
较高的导通电阻。因此，有一种折衷
之间的导通电阻和漏极 - 栅极电荷。良好
MOSFET的选择基于勋章（ FOM ）的图，
这是总栅极电荷和导通的产品
性。 FOM的值一般，较小，较高
效率为同一应用程序。
对于低边MOSFET ，最坏情况下的功耗
发生在最小的输出电压和最大输入
电压：
V
OUT
2
P
Q2
=
1
– ---------------
I
OUT
R
DSON
-
V
IN
（当量19）的
MOSFET选择
同步降压型稳压器具有输入电压
无论是AC适配器输出或电池输出。最大
AC适配器输出电压不超过24V ，而
最大电池电压不超过17V的4系列
锂离子电池单元的电池组。因此，一个30V的逻辑
MOSFET应该被使用。
高侧MOSFET必须能够耗散
传导损耗，开关损耗。输入
同步调节器的电压等于交流
适配器的输出电压或电池电压。最大
效率是通过选择一个高侧MOSFET实现了
具有与导通损耗等于开关损耗。
确保LGATE ISL6232栅驱动器可以提供
足够的栅极电流，以防止它从导通，
否则，可能会发生交叉传导问题。
传导是由于注入电流到漏 -
栅寄生电容（米勒电容C
gd
）所引起的
时的瞬间电压上升率在相结
高边MOSFET导通。合理放缓开通
高侧MOSFET的连接一个电阻器的速度
之间的BOOT引脚和栅极驱动电源来源，
低边MOSFET的栅极高灌电流能力
驱动，有助于减少交叉传导的可能性。
对于高边MOSFET ，最坏情况下的导通
损失发生在最小输入电压：
V
输出2
-
P
Q1
,
传导
= ---------------
I
OUT
R
DSON
V
IN
（当量17）
选择一个低侧MOSFET具有尽可能低的
导通电阻与一个中等大小的包，像SO- 8 ，
而一个是价格合理。开关损耗是
不是一个问题，因为低侧的MOSFET ，因为它运行在
零电压开关。
选择一个肖特基二极管，并联在低压侧
MOSFET Q2 ，将正向电压降得足够低，以
防止低侧MOSFET Q2体二极管转动
就在死区时间。这也减少了功率损耗
与反向恢复相关联的高侧MOSFET
的低侧MOSFET Q2的体二极管。作为一般规则，
选择具有直流额定电流等于三分之一的二极管
负载电流。一种选择是选择一个组合
MOSFET，具有在单个封装中的肖特基二极管。该
集成的软件包可能更好地工作在实践中，因为
有较少的杂散电感，由于短接。这
肖特基二极管是可选的，如果效率可以去除
损失是可以容忍的。
环路补偿设计
ISL6232采用恒定频率峰值电流模式控制
架构，从而实现快速环路瞬态响应。一
精确的电流检测电阻串联在输出
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FN9116.0
2005年4月18日
