ISL6232
Vo
R2
C3
V FB
V REF
-
GM
+
R1
C2
C1
V COMP
例如： V
in
= 12V, V
o
= 5V ，我
o
= 5A ， FS = 300kHz的，
C
o
= 180μF / 12mΩ ， L = 6.8μH ，G
m
= 100μS ，R
T
= 0.128
(R
cs
= 8mΩ ，A
c
= 16), V
FB
= 0.8V ，S
e
= 1.5×10
5
V / s的
S
n
= 1.318×10
5
V / S，F
c
=到45kHz ，则补偿器
电阻R
1
= 400k.
把补偿为零1.5kHz （ 1.5倍
o
R
o)
，并把
补偿极点在ESR零点是为49KHz 。该
补偿电容器是：
C
1
= 270pF ，C
2
= 10pF的（有大约为8pF
从V寄生电容
COMP
到GND ;因此， C2
可选）。
图34示出了模拟的电压环路增益。它示出
它具有30kHz的环路带宽与85
°
相位裕度和
20分贝增益裕度。
图33. TYPE II补偿器
图33示出了II型补偿器和它的转移
函数表示如下：
S
S
1
+ ------------
1
+ ------------
-
-
ω
cz2
g
m
ω
cz1
v
COMP
-
-
S)
= ---------------- = -------------------- ---------------------------------------------------------
C
1
+
C
2
S
v
FB
-
S
1
+ ---------
ω
cp
（当量28）
增益（dB ）
60
40
20
0
-20
-40
-60
100
V
环
哪里
C
1
+
C
2
1
1
-
-
-
ω
cz1
= -------------- ,
ω
cz2
= --------------
, ω
cp
= ----------------------
R
1
C
1
R
1
C
1
C
2
R
2
C
3
1·10
3
1·10
4
1·10
5
1·10
6
补偿器的设计目标：
高直流增益
-
环路范围f
c
:
--
to
------
f
s
4 10
1
1
110
85
60
35
10
-15
-40
100
1·10
3
频率（Hz）
增益裕度： >10分贝
PHASE（
o
)
V
环
相位裕度： 40 °
补偿器的设计过程如下：
1
--------------
把零补偿
ω
cz1
=
(
1to3
)
R C
-
o o
把一个补偿极点在零频率来实现高
直流增益，并把另一个补偿极点要么ESR
零频率或半开关频率，取
低。
ω
CZ2
是一个内部零，由于驱动8pF和600kΩ 。
环路增益牛逼
v
（S）在横在F的频率
c
有团结
获得。因此，补偿电阻R
1
is
由下式确定
2πf
c
V
o
C
o
R
T
R
1
= -----------------------------------
g
m
V
FB
（ EQ 。 29 ）
1·10
4
1·10
5
1·10
6
图34.仿真回路增益
12V辅助电源
反激变压器或耦合电感器可取代
对于电感5V或3.3V电源产生一个12V
在图35所示的辅助输出，其可以用于
驱动N沟道MOSFET 。该ISL6232是特别好
适合于此类应用，因为它可以在被配置
超声波或强制PWM模式，以保证良好的负载
规定当主电源在轻载
其中g
m
是跨导电压误差的
放大器。补偿电容C1由下式给出
1
1
-
C
1
= ----------------- ,
C
2
= ------------------------
R
1
ω
cz
2πR
1
f
ESR
（ EQ 。 30 ）
23
FN9116.0
2005年4月18日
