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ISL6232
输出电压误差信号。为了保持循环稳定，
斜率补偿斜坡总结到主PWM
比较器。在关断周期内，外部高压侧
MOSFET关断，外部低边MOSFET导通
上。所述电感器释放所存储的能量作为其当前
斜降，同时仍然提供电流到输出端。该
输出电容存储的电荷时，电感电流
超过负载电流和释放电荷时
电感电流越低，平滑跨越的电压
负载。期间的过电流或短路条件下，它
立即关闭高边MOSFET ，导通
低边MOSFET 。该峰值电流限制可以防止
电感器的饱和度。如果过电流仍然存在于
上涨的下一个时钟沿，高边MOSFET将保持
断和低侧MOSFET保持在让电感
电流的逐渐减小。
当SKIP ＃ = GND时，效率将自动为
优化在整个负载电流范围。跳
模式通过降低显著改善了轻负载效率
有效频率，从而降低了开关损耗。该
自动过渡到跳过模式被确定
电流的零交叉比较器，其检测电感器
电流过零点，并关闭低侧MOSFET 。
的边界设置由下式：
V
(
1
–
D
)
OUT
我出来
= ------------------------------------
2LF s
当SKIP ＃ = VCC ，控制器始终处于强制工作
PWM模式为最低的噪声和零交叉检测是
绕过。电感电流变为负轻
负载条件，因为在PWM循环试图维持一个
用V占空比设置
OUT
/V
IN
，导致效率低下，在光
负载。在强制PWM工作模式，每个时钟上升沿
设置主PWM锁存器打开高侧开关
对于由占空比确定的周期。由于高压侧
MOSFET关断，同步整流器锁存集和
低侧MOSFET导通。低边MOSFET保持
上，直到下一个时钟周期的开始。表1示出了
的操作模式。
表1.工作状态表
SKIP ＃
GND
模式
SKIP
负载
条件
光
描述
脉冲跳跃， DCM 。转
关闭UGATE当
电感器电流达到
跳过电流阈值。
恒定频率PWM
脉冲跳跃， DCM 。转
上LGATE如果没有
30US后切换。打开
关一旦达到负
限流或PWM
比较器的输出有
前切换到高
在下一个时钟周期。
恒定频率PWM
恒定频率PWM
恒定频率PWM
GND
REF
PWM
超声
SKIP
重
光
（当量1）
其中，D =占空比，女
s
=开关频率， L =电感
价值，我
OUT
=输出负载电流，V
OUT
=输出电压。
PWM控制器保留有关的峰值电感电流
在活性周期的过流限制为15％，从而允许
随后的周期被跳过只要COMP引脚
电压是足够低的。在轻负载时的开关波形
嘈杂的行为是异步的，由于脉冲跳跃。
顺利跳过模式转换为固定频率PWM
的操作，负载电流的增加。
当SKIP ＃ = REF ，超声波模式被激活，使
可以保持最小开关频率较高
超过25kHz的。这种超声波脉冲跳跃模式消除
可在非常轻的负载发生跳脉冲模式下的音频噪声
条件。发生超声波脉冲跳跃，如果没有开关
已经发生的最后为30μs内。低边MOSFET
接通以诱导负电感器电流。然后，将
高边MOSFET导通时，电感电流
到达负电流限制，或当PWM
比较器输出翻转为高，在下一个时钟前
周期。负电流限制由确定
下面的等式：
I
V NLIM
= -------------------
NLIM
RC-S
REF
VCC
VCC
PWM
PWM
PWM
重
光
重
UGATE和LGATE驱动程序
一个0.1μF电容连接BOOT和PHASE之间，
以及内部肖特基二极管从LDO5连接
要引导，产生的高边MOSFET的栅极驱动。
当低边MOSFET导通时，阶段进入
保护地。 LDO5通过自举电容充电
肖特基二极管。当低边MOSFET关断，
高边MOSFET导通时，相电压变为
V
IN
。肖特基二极管防止电容，
排入LDO5 。该LGATE同步整流器
驱动程序是由LDO5供电。
无论UGATE和LGATE栅极驱动器下沉2A峰值电流
出栅极端子，确保高足够的栅极驱动
当前的应用程序。内部下拉晶体管
开车LGATE低有一个1Ω的典型导通电阻。这些低
导通电阻下拉晶体管可以防止LGATE从
在相节点的快速上升时间被拉起
由于从漏极电容耦合到所述栅极
低边MOSFET 。在高电流应用的情况下，
这两个高边和低边MOSFET的一些组合
仍然能引起足够的栅极 - 漏极耦合，其导致
直通电流和效率低下。为了解决
（当量2）
其中，V
NLIM
是负电流限制阈值和R
CS
是电流检测电阻。
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FN9116.0
2005年4月18日
