MC33198
引脚1连接到MOSFET的源极引脚。两
不同的情况下，应考虑MOSFET开启或关闭：
当MOSFET导通，而在正常条件下工作，
在Vds的应低于引脚2处的电压。
所以，C2比较器输出为低电平，且状态是高。没有
电流将流过引脚8电容器。
如果MOSFET遇到过载，或者如果负载是shor-
泰德到GND，在源头上的电压将跨越2脚电压
去下面这个引脚2电压，由此导通的C2
比较器。比较器将拉动状态引脚6低
将使销8电容器的充电。当VOL-
踏歌在电容器达到5.5V时， C3比较器将
通过禁用电荷泵关闭MOSFET和
所述110μA的电流源。 MOSFET栅极将显示
只有10μA的电流源充电。 MOSFET导通时
锁断，可以通过切换打开重新打开
输入端7至0并返回到1 。
当MOSFET关断时，我们有同样的计划。
在正常情况下负荷应拔电源电压
到GND，从而C2比较器输出高电平和状态引脚
拉低。如果负载被短路到V
BAT
例如，源极引脚
将高于2脚， C2输出比较低，
状态引脚为高电平。这被总结在下面的表中：
飞思卡尔半导体公司
在100μA源可以被禁用。这是当壳体
MOSFET被故障情况下关断。该
设备将禁止100μA的电流源和
MOSFET栅极只能由一个10μA的电流放电。该
所需的时间来关闭MOSFET将更长的
这种情况下，会导致一个较低的过电压的
MOSFET的，尤其是当设备驱动高电感
负载。
关无V状态操作
cc
连接
当7脚为低电平状态MOSFET关断。如果V
BAT
is
目前，该栅极电压由110μA电流放电
源。在Vbat的断开的情况下，一个能自我维持
5μA下拉电流源中的设备，以引入
确保MOSFET的栅极电容放电，并
下面绑0.9V 。在Vcc的情况下断开，输入引脚7
对栅极电压没有影响其保持在低于0.9V和
在这种情况下，状态引脚为高。在第2脚低漏电流
（ 10μA最大）允许操作MOSFET和MC33198D
销2永久地连接到电池。 Vcc和其他
的功能可以由主电池线被切断。看
图15 。
PWM工作模式
由于MC33198D电荷泵可以提供一个高
目前， MOSFET栅极可充电速度不够快
允许PWM操作。最高PWM频率为
依赖于MOSFET的本身以及它的主要栅极到源极
电容值。根据PWM频率，所述
关断时间可能会很长，相比于切换
时间响应。这是由于在110μA栅极放电
电流。为了改善这种参数，电阻器可以被添加
与MOSFET的栅极平行。参见图13和14
下文。
飞思卡尔半导体公司...
T A B L E 1
状态功能
输入
条件
来源
负载
电压
< VPIN2
> VPIN 2
C1
产量
COMP
高
低
故障
Pin6
低
高
定时器
Pin8
低
收费
通过10μA
来源
低
收费
通过10μA
来源
低
低
正常
短路
到V
BAT
高
高
正常
短到
GND
或过载
> VPIN 2
< VPIN2
低
高
高
低
Figure13.
VBAT
VBAT
操作感性负载
该器件可以驱动MOSFET在电感负载
开关应用。在这种情况下，一个1kΩ电阻应
连接MOSFET和器件引脚1的源极之间。
该电阻将限制流过的电流成销1和防止
MC33198D从损坏中感应的关断
负载。栅极电压内部钳位在 - 的Vbe （ 0.6V
典型值） ，那么Vds的限制到VBAT +的Vbe + Vgson到
防止MOSFET的功耗过大。该
负载电压被限制到的Vbe + Vgson并允许合理
放电电流。
接通
在MOSFET的切换保证了
内部电荷泵。该电荷泵响应时间
与MOSFET的栅极电容示于表
动态电气特性表。
关闭
这里两种情况进行讨论;正常
关断MOSFET ，并在故障关闭
条件。正常开关关闭是由内部上拉完成
向下的电流源。值为110μA实际上是在
由并联的两个电流源;一个100μA和
10μA来源。 10μA的电流总是连接到
GATE引脚4设备框图如图所示。
4
1
1K
Rg
3
负载
Figure14.
5V
输入信号PIN7
0V
VGATE无RGATE
VCC + 15V （典型值）
0V
VGATE与RGATE
花花公子
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