
MC33198
飞思卡尔
与MC33198比较
公司
MC33091A
半导体,
介绍
该MC33091A和MC33198D是摩托罗拉整合
电路设计成控制在高功率MOSFET器件
侧开关应用。两者的简单对比
设备呈现,以帮助用户选择正确的设备
该应用程序。为MC33091A的详细描述,
请参考MC33091A数据表。
一般比较
两款器件引脚对引脚兼容。该MC33091A
具有待机模式启动的时候曾经输入(引脚7)是
在低状态。
在这种情况下,供给电流小于300μA以上
7.0V
≤
VCC≤24V和 - 40 °
≤
环境温度≤ 125 °
C
C.
该MC33198D不具有尽可能低的待机电源
目前的功能。它的电路总是通电时,使
该设备由待机电流,但是能够具有更高的
更快的切换使得它更适合于应用
需要更高的脉冲宽度调制频率。
此外, MC33198D可以感知并报告
在这两个国家的输入输出负载电压的状态。此功能
可用于监测负载时MOSFET关断;为
例如,检查对地短路时,电源。
MOSFET保护功能
的情况下的MOSFET的过电流条件下,该
MC33091A检测到故障,并迅速接通,断
MOSFET ,从而保护外部MOSFET ,它的负载。
该MC33091A自动尝试重新注入活力
的MOSFET ,只要该过电流条件存在。该
故障条件的占空比由外部确定
该MC33091A和过电流条件下分量。
该MC33091A监控漏 - 源极电压
MOSFET两端发展;发达电压
产生一个平方电流输出引脚8的比例向
电压。平方目前最好的图像效果
MOSFET的耗散,并给出了最准确
跟踪功耗。所产生的电流平方
确定电荷存在于一个并联电阻器电容器
网络。电容器电压进行监视和比较
内部阈值,引起关断,并允许接通的
MOSFET。负载短路条件下会产生较大的漏极 -
对源进行MOSFET两端的电压发达,
导致大的销8的电流要产生使
电阻电容网络的电压上升到一个高值
超过阈值电平,从而导致MC33091A迅速
关闭外部MOSFET ,从而保护MOSFET
从灾难性故障。
该MC33198D特征不同之处在于漏极 - 源极
两端的电压的MOSFET开发是相对于
电压出现在销2上的电压,在销2被创建
内部参考电流并连接到管脚2的电阻
在感应漏极电压。如果漏极 - 源极电压是
高于2脚电压时,器件将充电时间
电容连接到引脚8,直到电容器达到
内部阈值,那么锁断MOSFET 。该
MC33198D将设置故障,并保持MOSFET latched-
关闭,直到输入切换低(关),并重新打开
再次。
故障状态
两款器件均报告故障状态的微控制器
通过引脚6 MC33091A故障引脚时引脚7是无效
低的状态,而MC33198D故障状态是工作在低有效
高国引脚7 。
电源
这两款器件都从电池线供电。两
器件具有过压关断比大于20V 。
该MC33198D集成了欠压关断
功能,关掉MOSFET电池电压
比7V以下。
飞思卡尔半导体公司...
MC33198
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摩托罗拉
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