摩托罗拉
飞思卡尔半导体公司
半导体
MC33198
HIGH SIDE
TMOS驱动器
硅单片
集成电路
汽车高端
TMOS驱动器
该MC33198D是高端TMOS驱动器，专门用于汽车应用程序
阳离子。它被用于与外部功率MOSFET为高
侧驱动器应用。该器件可以驱动和保护了大量的各种
MOSFET。该装置具有CMOS兼容输入控制，电荷泵
基于可编程驱动MOSFET的栅极，故障检测电路
VDS监控，以检测负载短路。它还包括一个可编程的定时器
功能消除掉由于浪涌电流和状态不需要开关
销该报告在开启和关闭MOSFET的状态中，两个输出状态。
该设备采用很少的外部元件，并提供了一个经济的解决方案
大电流高侧开关。它还具有PWM功能的最高1kHz 。
专为汽车高侧驱动器应用
工程与N沟道功率MOSFET的各种
PWM功能
板载电荷泵，能够充电25nF的小于1ms
与无需外部元件
驱动感性负载，无需外部钳位电路所需
CMOS逻辑兼容控制输入
TMOS过电流和短路保护
故障输出到报表中过MOSFET现状
输出状态时，可用MOSFET开启或关闭
扩展温度范围从-40 °到125 °
C
C
防止汽车瞬变很少的外部
组件
过压和欠压关断
飞思卡尔半导体公司...
引脚分配
SRC
DRN
GND
门
1
8
7
6
定时器
输入
状态
VCC
2
3
4
5
订购信息
设备
温度
范围
包
MC33198D
- 40 °C至+ 125 °
C
C
SO8
方框图和典型应用
VBAT
VCC
DRN
RDRN
过度
伏特
检测
BIAS
供应
REF
收费
泵
80A
门
动力
TMOS
下
伏特
检测
输入
+
5V
-
C1
100A
10A
动力
ON
-
逻辑
C2
VCC
+
15V
RSRC
SRC
MCU
RPU
10A
状态
+
C3
-
负载
GND
C
定时器
定时器
摩托罗拉1999年公司
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
版本1.1
最大额定值
评级
电气额定值
电源电压（引脚5 ）
TMOS源极电压（引脚1 ）
比较器的阈值（引脚2 ）
门的输出电压（引脚4 ）
输入电压（引脚7 ）
状态（引脚6 ）
ESD电压能力
热额定值
储存温度
工作结温
热电阻焦耳/一
飞思卡尔半导体公司
符号
价值
单位
MC33198
VCC
VSRC
VDRN
VGATE
VIN
VST
V（ ESD ）
- 0,6至60
- 0,6至60
- 0,6至60
- 0,6至25
- 0,6至25
- 0,6至10
+/-2000
V
V
V
V
V
V
V
TSTG
Tj
Rj
-55到+150
-40到+150
145
°
C
°
C
°
C
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电气特性。
TAMB从 - 40 ° C至+ 125°C ， Vcc的从7V至20V ，除非另有笔记
.
典型值反映的近似
意思是在25℃的标称VCC ，在器件特性的时间。
C,
参数
SRC PIN 1
符号
民
典型值
最大
单位
漏电流
DRN PIN 2
Ilsrc
-10
10
A
阈值电流
DRN泄漏，输入关， VCC引脚公开赛
GATE引脚4
ITHR
ILEAK
54
81
102
10
uA
A
输出电压在1毫秒（充电泵ON）
关闭电流
- 没有在Vds的条件和VOUT >0.5V
- 与在Vds的条件和VOUT >0.5V
输出电压关。
（充电泵断开和VCC引脚开）
门放电电流。 （ VCC引脚打开）
启动时间
- CL = 25nF ; 7V < <的Vcc 10V ; VOUT > VCC + 7
- CL = 25nF ; 10V < <的Vcc 20V ; VOUT > VCC + 10
VCC引脚5
冯
IOUTN
Ioutw
VOFF
VCC + 7
70
5
0
110
10
Vcc+15
150
15
0.9
5
1
1
V
A
A
V
A
ms
IOFF
吨
电源电压范围
静态电源电流;在= 0V
- 在Vcc = 7V
- 在Vcc = 20V
电源电流;在5V =
过电压阈值
欠压阈值
VCC
ICCQ
7
1.8
2.8
20
4
6
35
28
6
34
7
V
mA
ICC
V
0伏
V
ur
1
22
mA
V
V
MC33198
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2
电气特性。
TAMB从 - 40 ° C至+ 125°C ， Vcc的从7V至20V ，除非另有笔记
.
典型值反映的近似
意思是在25℃的标称VCC ，在器件特性的时间。
C,
飞思卡尔半导体公司
符号
民
典型值
MC33198
参数
STATUS引脚6
最大
单位
输出电压@I = 1毫安
输入引脚7
V
ol
0,1
0,4
1.5
V
输入低电压
输入高电压
输入滞后
输入上拉下拉电阻。 VIN >11V
OPEN输入电压
TIMER引脚8
VIL
VIH
VHYS
凛
VIOP
3.5
0.8
20
36
1.5
V
V
V
100
1
k
V
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定时器的电流
阈值
放电电流@V
pin8
= 5V
饱和电压@I
pin8
= 1毫安
动态电气特性
参数
ITIME
Vhth
IDISCH
VSAT
7
5.2
2
10
5.5
5
0,15
14
5.8
10
0.4
A
V
mA
V
VCC = 7V
VCC = 14V
VCC = 21V
单位
典型上升时间（t
r
）与门外部电容负载和电源电压（参见图1 ）
C = 1nF的
C = 3nF的
C = 10nF的
C = 30NF
15
60
140
730
7
25
80
270
10
40
90
340
s
s
s
s
典型下降时间（t
f
）与门外部电容负载和电源电压（参见图1 ）
C = 1nF的
C = 3nF的
C = 10nF的
C = 30NF
150
430
1200
4800
230
800
2300
8000
280
950
2750
9200
s
s
s
s
Figure1.
定时测量测试原理图
输入引脚7
VCC
5V
5
VCC
1
SRC
2
DRN
门
4
0V
6
状态
GATE引脚4
通常（V
cc
+ 15V)
7
输入
定时器
GND
C
8
3
90%
10%
t
r
t
f
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3
摩托罗拉
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半导体
MC33198
HIGH SIDE
TMOS驱动器
硅单片
集成电路
汽车高端
TMOS驱动器
该MC33198D是高端TMOS驱动器，专门用于汽车应用程序
阳离子。它被用于与外部功率MOSFET为高
侧驱动器应用。该器件可以驱动和保护了大量的各种
MOSFET。该装置具有CMOS兼容输入控制，电荷泵
基于可编程驱动MOSFET的栅极，故障检测电路
VDS监控，以检测负载短路。它还包括一个可编程的定时器
功能消除掉由于浪涌电流和状态不需要开关
销该报告在开启和关闭MOSFET的状态中，两个输出状态。
该设备采用很少的外部元件，并提供了一个经济的解决方案
大电流高侧开关。它还具有PWM功能的最高1kHz 。
专为汽车高侧驱动器应用
工程与N沟道功率MOSFET的各种
PWM功能
板载电荷泵，能够充电25nF的小于1ms
与无需外部元件
驱动感性负载，无需外部钳位电路所需
CMOS逻辑兼容控制输入
TMOS过电流和短路保护
故障输出到报表中过MOSFET现状
输出状态时，可用MOSFET开启或关闭
扩展温度范围从-40 °到125 °
C
C
防止汽车瞬变很少的外部
组件
过压和欠压关断
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引脚分配
SRC
DRN
GND
门
1
8
7
6
定时器
输入
状态
VCC
2
3
4
5
订购信息
设备
温度
范围
包
MC33198D
- 40 °C至+ 125 °
C
C
SO8
方框图和典型应用
VBAT
VCC
DRN
RDRN
过度
伏特
检测
BIAS
供应
REF
收费
泵
80A
门
动力
TMOS
下
伏特
检测
输入
+
5V
-
C1
100A
10A
动力
ON
-
逻辑
C2
VCC
+
15V
RSRC
SRC
MCU
RPU
10A
状态
+
C3
-
负载
GND
C
定时器
定时器
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版本1.1
最大额定值
评级
电气额定值
电源电压（引脚5 ）
TMOS源极电压（引脚1 ）
比较器的阈值（引脚2 ）
门的输出电压（引脚4 ）
输入电压（引脚7 ）
状态（引脚6 ）
ESD电压能力
热额定值
储存温度
工作结温
热电阻焦耳/一
飞思卡尔半导体公司
符号
价值
单位
MC33198
VCC
VSRC
VDRN
VGATE
VIN
VST
V（ ESD ）
- 0,6至60
- 0,6至60
- 0,6至60
- 0,6至25
- 0,6至25
- 0,6至10
+/-2000
V
V
V
V
V
V
V
TSTG
Tj
Rj
-55到+150
-40到+150
145
°
C
°
C
°
C
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电气特性。
TAMB从 - 40 ° C至+ 125°C ， Vcc的从7V至20V ，除非另有笔记
.
典型值反映的近似
意思是在25℃的标称VCC ，在器件特性的时间。
C,
参数
SRC PIN 1
符号
民
典型值
最大
单位
漏电流
DRN PIN 2
Ilsrc
-10
10
A
阈值电流
DRN泄漏，输入关， VCC引脚公开赛
GATE引脚4
ITHR
ILEAK
54
81
102
10
uA
A
输出电压在1毫秒（充电泵ON）
关闭电流
- 没有在Vds的条件和VOUT >0.5V
- 与在Vds的条件和VOUT >0.5V
输出电压关。
（充电泵断开和VCC引脚开）
门放电电流。 （ VCC引脚打开）
启动时间
- CL = 25nF ; 7V < <的Vcc 10V ; VOUT > VCC + 7
- CL = 25nF ; 10V < <的Vcc 20V ; VOUT > VCC + 10
VCC引脚5
冯
IOUTN
Ioutw
VOFF
VCC + 7
70
5
0
110
10
Vcc+15
150
15
0.9
5
1
1
V
A
A
V
A
ms
IOFF
吨
电源电压范围
静态电源电流;在= 0V
- 在Vcc = 7V
- 在Vcc = 20V
电源电流;在5V =
过电压阈值
欠压阈值
VCC
ICCQ
7
1.8
2.8
20
4
6
35
28
6
34
7
V
mA
ICC
V
0伏
V
ur
1
22
mA
V
V
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2
电气特性。
TAMB从 - 40 ° C至+ 125°C ， Vcc的从7V至20V ，除非另有笔记
.
典型值反映的近似
意思是在25℃的标称VCC ，在器件特性的时间。
C,
飞思卡尔半导体公司
符号
民
典型值
MC33198
参数
STATUS引脚6
最大
单位
输出电压@I = 1毫安
输入引脚7
V
ol
0,1
0,4
1.5
V
输入低电压
输入高电压
输入滞后
输入上拉下拉电阻。 VIN >11V
OPEN输入电压
TIMER引脚8
VIL
VIH
VHYS
凛
VIOP
3.5
0.8
20
36
1.5
V
V
V
100
1
k
V
飞思卡尔半导体公司...
定时器的电流
阈值
放电电流@V
pin8
= 5V
饱和电压@I
pin8
= 1毫安
动态电气特性
参数
ITIME
Vhth
IDISCH
VSAT
7
5.2
2
10
5.5
5
0,15
14
5.8
10
0.4
A
V
mA
V
VCC = 7V
VCC = 14V
VCC = 21V
单位
典型上升时间（t
r
）与门外部电容负载和电源电压（参见图1 ）
C = 1nF的
C = 3nF的
C = 10nF的
C = 30NF
15
60
140
730
7
25
80
270
10
40
90
340
s
s
s
s
典型下降时间（t
f
）与门外部电容负载和电源电压（参见图1 ）
C = 1nF的
C = 3nF的
C = 10nF的
C = 30NF
150
430
1200
4800
230
800
2300
8000
280
950
2750
9200
s
s
s
s
Figure1.
定时测量测试原理图
输入引脚7
VCC
5V
5
VCC
1
SRC
2
DRN
门
4
0V
6
状态
GATE引脚4
通常（V
cc
+ 15V)
7
输入
定时器
GND
C
8
3
90%
10%
t
r
t
f
MC33198
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QQ：2881677436 复制
