飞思卡尔半导体公司
C
CP
C
CP
选择依赖于功率MOSFET的特性和
该工作的开关频率。
图8
包含两个
描绘C的影响图
CP
值的V
CP_OUT
平均电压电平。该图代表了两种不同的
频率两个功率MOSFET ， MTP60N06HD和
MPT36N06V.
21
20.5
C
CP_OUT
图9
描绘了简化的
CP_OUT
电流和电压
波形。 F
PWM
是工作的开关频率。
振荡器
振荡器
在高
在高
振荡器
状态
振荡器
状态
在低
在低
状态
状态
高
SIDE
高
SIDE
打开
打开
V
CP_OUT
V
CP_OUT
愤怒V
CP_OUT
平均
V
CP_OUT
V
CP_OUT
V
CCP
_
OUT
20千赫
20KhZ
100千赫
100千赫
I
CP_OUT
I
CP_OUT
V
Vcp_out （ v）的
CP_OUT
(V)
20
19.5
19
18.5
18
5
25
45
65
85
f=330kHz
F = 330千赫
f
f
PWM
PWM
飞思卡尔半导体公司...
PEAK
峰值电流
当前
C
CP
（ NF）
CCP
（ NF）
MTP60N06HD （Q
g
=50nC)
MTP60N06HD （Q
g
= 50 NC）
图9.简化
CP_OUT
电流和电压
波形
如上图所示，在高边MOSFET的导通V
CP_OUT
电压减小。这种减少可以根据计算
到C
CP_OUT
值如下：
MTP60N06HD （Q
g
= 50 NC）
21.5
21
Vcp_out （ v）的
(V)
V
CP_OUT
20千赫
100千赫
V
CP_OUT
=
Q
g
C
CP_OUT
20.5
20
19.5
19
18.5
5
其中Q
g
是功率MOSFET栅极电荷。
C
LR_OUT
C
LR_OUT
提供所需要的低侧峰电流
MOSFET导通。 V
LR_OUT
减少是如下：
25
45
65
85
C
CP
（ NF）
CCP
（ NF）
MTP36N06V （Q
g
= 40 NC）
图8. V
CP_OUT
对C
CP
小了C
CP
值，较小的V
CP_OUT
价值
是。此外，对于相同的C
CP
值，则开关时
频率的增加，平均V
CP_OUT
水平降低。为
大多数的应用中， 33 nF的一个典型值是
推荐使用。
V
LR_OUT
=
Q
g
C
LR_OUT
电容的典型值
在大多数情况下，工作的以下典型值
推荐一个性能良好的电荷泵：
C
CP
= 33 nF的，C
CP_OUT
= 470 nF的，和C
LR_OUT
= 470 nF的
这些值给出的V典型100 mV的电压纹波
CP_OUT
和V
LR_OUT
与Q
g
= 50 NC 。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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