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飞思卡尔半导体公司
在瞬息万变的诉
CC
电压，大的dV / dt
可导致该高边驱动器的扰动，从而
迫使驾驶员成为OFF状态。加电容
C3和C4 ，如图
图12中的
降低了的的dV / dt
源代码行，从而减少驾驶员的扰动。典型
为R3 / R4和C3 / C4的值是10
和10nF的分别。
DV / DT在V
CC2
当外部高边MOSFET导通时，如遇快速
V的负变化
CC2
的电压（V
GATE_HS
- V
SRC_HS
）可以
比指定的18 V更高。在这种情况下，在电阻
该SRC线是必要的电流限制在5.0 mA最大。它
将保护内部的齐纳置于GATE_HS和间
SRC终端。
V
BAT
V
BOOST
V
CC
V
CC2
G_EN
C
CP
33 nF的
33883
V
CC
V
CC2
G_EN
C1
C2
IN_HS1
CP_OUT
LR_OUT
GATE_HS1
SRC_HS1
GATE_LS1
GATE_HS2
C
CP_OUT
470 nF的
飞思卡尔半导体公司...
C
LR_OUT
470 nF的
R1
50
R3
M1
R2
50
R4
C4
10 nF的
10
M3
C1
C2
IN_HS1
IN_LS1
IN_HS2
IN_LS2
MCU
C3
10 nF的
10
DC
汽车
IN_LS1 SRC_HS2
IN_HS2 GATE_LS2
IN_LS2
GND
50
M2
50
M4
图12.应用原理与外部保护电路
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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