飞思卡尔半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
文档顺序号： MC33883 / D
REV 6.0 ， 2004年1月
33883
H桥栅极驱动器IC
该33883是H桥栅极驱动器（也称为全桥预驱动器）
IC集成了电荷泵和独立的高侧和低侧栅极
驱动器通道。栅极驱动器通道由四个独立控制的
单独的输入端，从而使器件能够有选择地配置
作为两个独立的高侧栅极驱动器和两个独立的低侧栅极
驱动程序。低侧通道以地为参考。高侧
通道浮动。
H桥栅极驱动器IC
飞思卡尔半导体公司...
栅极驱动器输出可源出或吸入高达1.0峰值电流
脉冲，从而允许较大的栅极电荷的MOSFET被驱动和/或高脉冲
宽度调制（PWM）频率来加以利用。线性稳压器
结合，提供一个15V的典型栅极供给到低侧栅极驱动器。
特点
V
CC
高达55 V的工作电压范围为5.5 V
V
CC2
高达28 V的工作电压范围为5.5 V
CMOS / LSTTL兼容的I / O
1.0峰值栅极驱动电流
内置高边电荷泵
欠压锁定（ UVLO ）
过压锁定（ OVLO ）
全球支持与<10
A
睡眠模式
支持的PWM高达100kHz
DW后缀
CASE 751D -06
20引脚SOICW
订购信息
设备
MC33883DW/R2
温度
范围（T
A
)
-40°C至125°C
包
20 SOICW
33883
简化应用图
简化应用图
VBAT VBOOST
33883
VCC
VCC2
G_EN
C1
C2
MCU
CP_OUT
LR_OUT
GATE_HS1
SRC_HS1
GATE_LS1
GATE_HS2
IN_HS1
IN_LS1
IN_HS2
IN_LS2
SRC_HS2
GATE_LS2
GND
DC
汽车
摩托罗拉公司2004年
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
飞思卡尔半导体公司
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
G_EN
SRC_HS2
GATE_HS2
IN_HS2
IN_LS2
GATE_LS2
GND2
C1
GND_A
V
CC2
C2
CP_OUT
SRC_HS1
GATE_HS1
IN_HS1
IN_LS1
GATE_LS1
GND1
LR_OUT
端子功能描述
终奌站
终端名称
V
CC
正式名称
电源电压1
电荷泵电容
电荷泵输出
源1输出高端
门1输出高端
输入高侧1
输入低侧1
门1输出低端
地面1
线性稳压器输出
电源电压2
模拟地
电荷泵电容
地2
门2输出低端
输入低侧2
输入高端2
门2输出高端
源2输出高端
全球启用
设备电源1 。
外部电容内部电荷泵。
外部存储电容器的内部电荷泵。
高侧1 MOSFET的源极
高边MOSFET 1的门。
高侧1门逻辑输入控制（即IN_HS1逻辑HIGH = GATE_HS1
HIGH ） 。
低侧1门逻辑输入控制（即IN_LS1逻辑HIGH = GATE_LS1
HIGH ） 。
低边MOSFET 1的门。
设备接地1 。
输出内部线性稳压器。
设备电源2 。
设备模拟地。
外部电容内部电荷泵。
设备接地2 。
低边MOSFET 2之门。
低端2门的逻辑输入控制（即IN_LS2逻辑HIGH = GATE_LS2
HIGH ） 。
高边2门的逻辑输入控制（即IN_HS2逻辑HIGH = GATE_HS2
HIGH ） 。
高边MOSFET 2之门。
源高边MOSFET 2中。
逻辑输入使能控制装置（即G_EN逻辑HIGH =全面运作，
G_EN逻辑LOW =睡眠模式） 。
德网络nition
飞思卡尔半导体公司...
1
2
3
4
5
6
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8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
C2
CP_OUT
SRC_HS1
GATE_HS1
IN_HS1
IN_LS1
GATE_LS1
GND1
LR_OUT
V
CC2
GND_A
C1
GND2
GATE_LS2
IN_LS2
IN_HS2
GATE_HS2
SRC_HS2
G_EN
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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33883
3
飞思卡尔半导体公司
最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。
等级
电源电压1
电源电压2 （注1 ）
线性稳压器输出电压
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电压源
从CP_OUT在开关ON状态高边电流源
高侧栅极电压
符号
V
CC
V
CC2
V
LR_OUT
V
CP_OUT
V
SRC_HS
I
S
V
GATE_HS
V
GATE_HS
- V
SRC_HS
V
CP_OUT
- V
GATE_HS
V
GATE_LS
V
G_EN
V
IN
V
C1
V
C2
价值
-0.3至65
-0.3至35
-0.3至18
-0.3至65
-1.0至65
250
-0.3至65
-0.3 20
-0.3至65
-0.3至17
-0.3至35
-0.3至10
-0.3到V
LR_OUT
-0.3至65
单位
V
V
V
V
V
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
ESD1
V
ESD2
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
T
SOLDER
±1500
±130
飞思卡尔半导体公司...
高侧栅极电压源
高侧浮动电源电压门
低侧栅极电压
唤醒电压
逻辑输入电压
电荷泵电容电压
电荷泵电容电压
ESD电压
人体模型上的所有引脚（V
CC
和V
CC2
作为两个电源
耗材） （注2 ）
机器模型（注3 ）
功耗和热特性
最大功率耗散@ 25°C
热阻（结到环境）
工作结温
储存温度
端子焊接温度（注4 ）
1.25
100
-40至150
-65到150
240
W
° C / W
°C
°C
°C
笔记
1. V
CC2
可承受40 V负载突降脉冲， 400毫秒， 2.0
.
2. ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
=1500
).
3.
4.
ESD2测试是根据机器型号进行（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
=0
).
端子焊接温度极限是10秒最长期限。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
33883
4
摩托罗拉模拟
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集成电路设备数据
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飞思卡尔半导体公司
静态电气特性
特征条件下V注意
CC
= 12 V, V
CC2
= 12 V ，C
CP
= 33 nF的， G_EN = 4.5 V，除非另有说明。典型值
对于T
A
为T = 25 ℃，最大/最小值
A
= -40 ° C至125°C ，除非另有说明。
特征
符号
民
典型值
最大
单位
工作条件
电源电压1输出，高侧驱动器和电荷泵
电源电压2线性调节
高侧浮动电源电压的绝对值
V
CC
V
CC2
V
CP_OUT
5.5
5.5
V
CC
+4
–
–
–
55
28
V
CC
+11
但< 65
V
V
V
逻辑
飞思卡尔半导体公司...
逻辑1输入电压（ IN_LS和IN_HS ）
逻辑0输入电压（ IN_LS和IN_HS ）
逻辑1输入电流
V
IN
= 5.0 V
唤醒输入电压（ G_EN ）
唤醒输入电流（ G_EN ）
V
G_EN
= 14 V
唤醒输入电流（ G_EN ）
V
G_EN
= 28 V
V
IH
V
IL
I
IN +
2.0
–
–
–
10
0.8
V
V
A
200
V
G_EN
I
G_EN
–
I
G_EN2
–
4.5
–
5.0
1000
V
CC2
500
mA
V
A
200
–
1.5
线性稳压器
线性稳压器
V
LR_OUT
@ V
CC2
从15 V至28 V，I
负载
从0 mA至20 mA
V
LR_OUT
@ I
负载
= 20毫安
V
LR_OUT
@ I
负载
能力= 20 mA ，V
CC2
= 5.5 V, V
CC
=
5.5 V
V
LR_OUT
12.5
V
CC2
-1.5
4.0
–
–
–
16.5
–
–
V
电荷泵
电荷泵输出电压，参考V
CC
V
CC
= 12 V，I
负载
= 0 mA时，C
CP_OUT
= 1.0
F
V
CC
= 12 V，I
负载
= 7.0毫安，C
CP_OUT
= 1.0
F
V
CC2
= V
CC
= 5.5 V，I
负载
= 0 mA时，C
CP_OUT
= 1.0
F
V
CC2
= V
CC
= 5.5 V，I
负载
= 7.0毫安，C
CP_OUT
= 1.0
F
V
CC
= 55 V，I
负载
= 0 mA时，C
CP_OUT
= 1.0
F
V
CC
= 55 V，I
负载
= 7.0毫安，C
CP_OUT
= 1.0
F
峰值电流通过引脚C1在瞬息万变的V
CC
电压（见
图11中的
第14页）
最小峰值电压在引脚C1在瞬息万变的V
CC
电压（见
图11中的
第14页）
I
C1
V
C1
民
V
CP_OUT
7.5
7.0
2.3
1.8
7.5
7.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
A
-2.0
-1.5
–
–
2.0
V
–
V
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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33883
5
飞思卡尔半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
文档顺序号： MC33883 / D
REV 6.0 ， 2004年1月
33883
H桥栅极驱动器IC
该33883是H桥栅极驱动器（也称为全桥预驱动器）
IC集成了电荷泵和独立的高侧和低侧栅极
驱动器通道。栅极驱动器通道由四个独立控制的
单独的输入端，从而使器件能够有选择地配置
作为两个独立的高侧栅极驱动器和两个独立的低侧栅极
驱动程序。低侧通道以地为参考。高侧
通道浮动。
H桥栅极驱动器IC
飞思卡尔半导体公司...
栅极驱动器输出可源出或吸入高达1.0峰值电流
脉冲，从而允许较大的栅极电荷的MOSFET被驱动和/或高脉冲
宽度调制（PWM）频率来加以利用。线性稳压器
结合，提供一个15V的典型栅极供给到低侧栅极驱动器。
特点
V
CC
高达55 V的工作电压范围为5.5 V
V
CC2
高达28 V的工作电压范围为5.5 V
CMOS / LSTTL兼容的I / O
1.0峰值栅极驱动电流
内置高边电荷泵
欠压锁定（ UVLO ）
过压锁定（ OVLO ）
全球支持与<10
A
睡眠模式
支持的PWM高达100kHz
DW后缀
CASE 751D -06
20引脚SOICW
订购信息
设备
MC33883DW/R2
温度
范围（T
A
)
-40°C至125°C
包
20 SOICW
33883
简化应用图
简化应用图
VBAT VBOOST
33883
VCC
VCC2
G_EN
C1
C2
MCU
CP_OUT
LR_OUT
GATE_HS1
SRC_HS1
GATE_LS1
GATE_HS2
IN_HS1
IN_LS1
IN_HS2
IN_LS2
SRC_HS2
GATE_LS2
GND
DC
汽车
摩托罗拉公司2004年
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飞思卡尔半导体公司
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
G_EN
SRC_HS2
GATE_HS2
IN_HS2
IN_LS2
GATE_LS2
GND2
C1
GND_A
V
CC2
C2
CP_OUT
SRC_HS1
GATE_HS1
IN_HS1
IN_LS1
GATE_LS1
GND1
LR_OUT
端子功能描述
终奌站
终端名称
V
CC
正式名称
电源电压1
电荷泵电容
电荷泵输出
源1输出高端
门1输出高端
输入高侧1
输入低侧1
门1输出低端
地面1
线性稳压器输出
电源电压2
模拟地
电荷泵电容
地2
门2输出低端
输入低侧2
输入高端2
门2输出高端
源2输出高端
全球启用
设备电源1 。
外部电容内部电荷泵。
外部存储电容器的内部电荷泵。
高侧1 MOSFET的源极
高边MOSFET 1的门。
高侧1门逻辑输入控制（即IN_HS1逻辑HIGH = GATE_HS1
HIGH ） 。
低侧1门逻辑输入控制（即IN_LS1逻辑HIGH = GATE_LS1
HIGH ） 。
低边MOSFET 1的门。
设备接地1 。
输出内部线性稳压器。
设备电源2 。
设备模拟地。
外部电容内部电荷泵。
设备接地2 。
低边MOSFET 2之门。
低端2门的逻辑输入控制（即IN_LS2逻辑HIGH = GATE_LS2
HIGH ） 。
高边2门的逻辑输入控制（即IN_HS2逻辑HIGH = GATE_HS2
HIGH ） 。
高边MOSFET 2之门。
源高边MOSFET 2中。
逻辑输入使能控制装置（即G_EN逻辑HIGH =全面运作，
G_EN逻辑LOW =睡眠模式） 。
德网络nition
飞思卡尔半导体公司...
1
2
3
4
5
6
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8
9
10
11
12
13
14
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20
C2
CP_OUT
SRC_HS1
GATE_HS1
IN_HS1
IN_LS1
GATE_LS1
GND1
LR_OUT
V
CC2
GND_A
C1
GND2
GATE_LS2
IN_LS2
IN_HS2
GATE_HS2
SRC_HS2
G_EN
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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33883
3
飞思卡尔半导体公司
最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。
等级
电源电压1
电源电压2 （注1 ）
线性稳压器输出电压
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电压源
从CP_OUT在开关ON状态高边电流源
高侧栅极电压
符号
V
CC
V
CC2
V
LR_OUT
V
CP_OUT
V
SRC_HS
I
S
V
GATE_HS
V
GATE_HS
- V
SRC_HS
V
CP_OUT
- V
GATE_HS
V
GATE_LS
V
G_EN
V
IN
V
C1
V
C2
价值
-0.3至65
-0.3至35
-0.3至18
-0.3至65
-1.0至65
250
-0.3至65
-0.3 20
-0.3至65
-0.3至17
-0.3至35
-0.3至10
-0.3到V
LR_OUT
-0.3至65
单位
V
V
V
V
V
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
ESD1
V
ESD2
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
T
SOLDER
±1500
±130
飞思卡尔半导体公司...
高侧栅极电压源
高侧浮动电源电压门
低侧栅极电压
唤醒电压
逻辑输入电压
电荷泵电容电压
电荷泵电容电压
ESD电压
人体模型上的所有引脚（V
CC
和V
CC2
作为两个电源
耗材） （注2 ）
机器模型（注3 ）
功耗和热特性
最大功率耗散@ 25°C
热阻（结到环境）
工作结温
储存温度
端子焊接温度（注4 ）
1.25
100
-40至150
-65到150
240
W
° C / W
°C
°C
°C
笔记
1. V
CC2
可承受40 V负载突降脉冲， 400毫秒， 2.0
.
2. ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
=1500
).
3.
4.
ESD2测试是根据机器型号进行（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
=0
).
端子焊接温度极限是10秒最长期限。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
33883
4
摩托罗拉模拟
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飞思卡尔半导体公司
静态电气特性
特征条件下V注意
CC
= 12 V, V
CC2
= 12 V ，C
CP
= 33 nF的， G_EN = 4.5 V，除非另有说明。典型值
对于T
A
为T = 25 ℃，最大/最小值
A
= -40 ° C至125°C ，除非另有说明。
特征
符号
民
典型值
最大
单位
工作条件
电源电压1输出，高侧驱动器和电荷泵
电源电压2线性调节
高侧浮动电源电压的绝对值
V
CC
V
CC2
V
CP_OUT
5.5
5.5
V
CC
+4
–
–
–
55
28
V
CC
+11
但< 65
V
V
V
逻辑
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逻辑1输入电压（ IN_LS和IN_HS ）
逻辑0输入电压（ IN_LS和IN_HS ）
逻辑1输入电流
V
IN
= 5.0 V
唤醒输入电压（ G_EN ）
唤醒输入电流（ G_EN ）
V
G_EN
= 14 V
唤醒输入电流（ G_EN ）
V
G_EN
= 28 V
V
IH
V
IL
I
IN +
2.0
–
–
–
10
0.8
V
V
A
200
V
G_EN
I
G_EN
–
I
G_EN2
–
4.5
–
5.0
1000
V
CC2
500
mA
V
A
200
–
1.5
线性稳压器
线性稳压器
V
LR_OUT
@ V
CC2
从15 V至28 V，I
负载
从0 mA至20 mA
V
LR_OUT
@ I
负载
= 20毫安
V
LR_OUT
@ I
负载
能力= 20 mA ，V
CC2
= 5.5 V, V
CC
=
5.5 V
V
LR_OUT
12.5
V
CC2
-1.5
4.0
–
–
–
16.5
–
–
V
电荷泵
电荷泵输出电压，参考V
CC
V
CC
= 12 V，I
负载
= 0 mA时，C
CP_OUT
= 1.0
F
V
CC
= 12 V，I
负载
= 7.0毫安，C
CP_OUT
= 1.0
F
V
CC2
= V
CC
= 5.5 V，I
负载
= 0 mA时，C
CP_OUT
= 1.0
F
V
CC2
= V
CC
= 5.5 V，I
负载
= 7.0毫安，C
CP_OUT
= 1.0
F
V
CC
= 55 V，I
负载
= 0 mA时，C
CP_OUT
= 1.0
F
V
CC
= 55 V，I
负载
= 7.0毫安，C
CP_OUT
= 1.0
F
峰值电流通过引脚C1在瞬息万变的V
CC
电压（见
图11中的
第14页）
最小峰值电压在引脚C1在瞬息万变的V
CC
电压（见
图11中的
第14页）
I
C1
V
C1
民
V
CP_OUT
7.5
7.0
2.3
1.8
7.5
7.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
A
-2.0
-1.5
–
–
2.0
V
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摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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QQ：2880707522 复制
