真值表
（见注1至5）
下一个周期
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
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地址
二手
无
无
无
无
无
外
外
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
当前
当前
当前
外
NEXT
NEXT
当前
当前
SE1
1
0
0
X
X
0
0
X
X
1
1
X
X
1
1
0
X
1
X
1
SE2
X
X
0
X
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
1
X
X
X
X
SE3
X
1
X
1
X
0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
0
X
X
X
X
ADSP
X
0
0
1
1
0
1
1
1
X
X
1
1
X
X
1
1
X
1
X
ADSC
0
X
X
0
0
X
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
ADV
X
X
X
X
X
X
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
1
1
G3
X
X
X
X
X
X
X
1
0
1
0
1
0
1
0
X
X
X
X
X
DQX
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DQ
高-Z
DQ
高-Z
DQ
高-Z
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
写2,4
X
X
X
X
X
X5
READ5
读
读
读
读
读
读
读
读
写
写
写
写
写
注意事项：
1， X =无关。 1 =逻辑高电平。 0 =逻辑低。
2.写被定义为1）任何SBX和SW低或2）的SGW低。
3. G是一个异步信号而不是由时钟K.G。驱动总线立即（ tGLQX ）以下G变低采样。
4.按照读周期是写入周期，G之前，必须写周期的开始被否定，以确保正确的写数据准备时间。摹绝
也保持在完成写周期的否定，以确保正确的写数据保持时间。
5.本读假设RAM以前取消。
异步真值表
手术
读
读
写
取消
睡觉
ZZ
L
L
L
L
H
G
L
H
X
X
X
I / O状态
数据输出（ DQX ）
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
线性突发地址表
（ LBO = VSS ）
第一个地址（外部）
X . . . X00
X . . . X01
X . . . X10
X . . . X11
第二个地址（内部）
X . . . X01
X . . . X10
X . . . X11
X . . . X00
3地址（内部）
X . . . X10
X . . . X11
X . . . X00
X . . . X01
第四地址（内部）
X . . . X11
X . . . X00
X . . . X01
X . . . X10
交错突发地址表
（ LBO = VDD ）
第一个地址（外部）
X . . . X00
X . . . X01
X . . . X10
X . . . X11
第二个地址（内部）
X . . . X01
X . . . X00
X . . . X11
X . . . X10
3地址（内部）
X . . . X10
X . . . X11
X . . . X00
X . . . X01
第四地址（内部）
X . . . X11
X . . . X10
X . . . X01
X . . . X00
摩托罗拉快速SRAM
MCM63P736MCM63P818
9
