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直流特性和供电电流
参数
输入漏电流（0V
≤
VIN
≤
VDD ）
输出漏电流（0V
≤
VIN
≤
VDDQ ）
交流电源电流（设备选择，
所有输出打开，频率=最大值）
包括VDD和VDDQ
MCM63P736/818–133
MCM63P736/818–100
MCM63P736/818–66
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
非洲工业发展十年
民
—
—
—
典型值
—
—
—
最大
±
1
±
1
待定
单位
A
A
mA
2, 3, 4
笔记
1
CMOS待机电流（释放器件，频率= 0 ，
VDD =最大， VDDQ =最大，所有输入的静态CMOS电平）
睡眠模式待机电流（释放器件，频率=最大，
VDD =最大， VDDQ =最大，所有其他输入静态的CMOS电平，
ZZ
≥
VDD - 0.2 V.
TTL待机电流（释放器件，频率= 0 ，
VDD =最大， VDDQ =最大，所有输入静态的TTL电平）
时钟运行（设备选中，
频率=最大， VDD =最大值， VDDQ =最大值，
所有的输入切换，在CMOS电平）
MCM63P736/818–133
MCM63P736/818–100
MCM63P736/818–66
ISB2
IZZ
—
—
—
—
待定
2
mA
mA
5, 6
1, 5, 6
ISB3
ISB4
—
—
—
—
待定
待定
mA
mA
5, 7
5, 6
静态时钟运行（设备选中， MCM63P736 / 818-166
频率=最大， VDD =最大值， VDDQ =最大值，
MCM63P736/818–150
所有输入静态的TTL电平）
MCM63P736/818–133
输出低电压（ IOL = 2 mA）的VDDQ = 2.5 V
输出高电压（ IOL = - 2 mA）的VDDQ = 2.5 V
输出低电压（ IOL = 8 mA）的VDDQ = 3.3 V
输出高电压（ IOL = - 4毫安） VDDQ = 3.3 V
ISB5
—
—
待定
mA
5, 6
VOL
VOH
VOL2
VOH2
—
1.7
—
2.4
—
—
—
—
0.7
—
0.4
—
V
V
V
V
注意事项：
1. LBO和ZZ引脚具有内部上拉，并会表现出漏电流
±
5
A.
2.参考交流工作条件和特点进行输入和时序。
3.所有的地址转换同时低（LSB）然后在高（MSB）。
4.数据的状态都是零。
由真值表定义5.设备被取消。
6. CMOS电平的I / O是VIT
≤
VSS + 0.2 V或
≥
VDDQ - 0.2 V CMOS电平的其他输入是输入电压
≤
VSS + 0.2 V或
≥
VDD - 0.2 V.
7. TTL电平的I / O是VIT
≤
VIL或
≥
VIH2 。 TTL电平为其他输入是输入电压
≤
VIL或
≥
VIH 。
MCM63P736MCM63P818
12
摩托罗拉快速SRAM
