AD5330/AD5331/AD5340/AD5341–SPECIFICATIONS
(V
DD
= 2.5 V至5.5 V ，V
REF
= 2 V.
L
= 2 k
参数
1
到GND ;
L
= 200 pF到GND ;所有特定网络阳离子牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
B版本
2
典型值
最大
单位
条件/评论
民
直流性能
3, 4
AD5330
决议
相对精度
微分非线性
AD5331
决议
相对精度
微分非线性
AD5340/AD5341
决议
相对精度
微分非线性
偏移误差
增益误差
低死区
5
上死区
失调误差漂移
6
增益误差漂移
6
直流电源抑制比
6
DAC的基准输入
6
V
REF
输入范围
V
REF
输入阻抗
1
0.25
8
±
0.15
±
0.02
10
±
0.5
±
0.05
12
±
2
±
0.2
±
0.4
±
0.15
10
10
–12
–5
–60
±
1
±
0.25
±
4
±
0.5
±
16
±
1
±
3
±
1
60
60
位
最低位
最低位
位
最低位
最低位
位
最低位
最低位
％ FSR的
％ FSR的
mV
mV
PPM的FSR /°C的
PPM的FSR /°C的
dB
V
V
M
k
k
dB
V分钟
V最大
mA
mA
s
s
A
V
V
V
V
V
V
pF
V
A
A
通过设计保证单调对所有代码
通过设计保证单调对所有代码
通过设计保证单调对所有代码
降低死区仅存如果偏移误差为负
V
DD
= 5 V上死区仅存若V
参考=
V
DD
V
DD
=
±
10%
缓冲基准（ AD5330 ， AD5340 ， AD5341和）
无缓冲基准
缓冲基准（ AD5330 ， AD5340 ， AD5341和）
无缓冲基准。增益= 1 ，输入阻抗= R
DAC
无缓冲基准。增益= 2 ，输入阻抗= R
DAC
频率= 10千赫
轨到轨工作
V
DD
V
DD
>10
180
90
–90
0.001
V
DD
–0.001
0.5
25
15
2.5
5
±
1
0.8
0.6
0.5
参考穿心
输出特性
6
最小输出电压
4, 7
最大输出电压
4, 7
直流输出阻抗
短路电流
开机时间
逻辑输入
6
输入电流
V
IL
，输入低电压
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
走出掉电模式。 V
DD
= 5 V
走出掉电模式。 V
DD
= 3 V
V
IH
，输入高电压
2.4
2.1
2.0
3
2.5
140
115
5.5
250
200
V
DD
= 5 V
±
10%
V
DD
= 3 V
±
10%
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 5 V
±
10%
V
DD
= 3 V
±
10%
V
DD
= 2.5 V
引脚电容
电源要求
V
DD
I
DD
（正常模式）
V
DD
= 4.5 V至5.5 V
V
DD
= 2.5 V至3.6 V
DAC的活跃，不包括负载电流。无缓冲
参考。 V
IH
= V
DD
, V
IL
= GND 。
I
DD
增加50
A
在V
REF
＆ GT ; V
DD
= 100毫伏。
在缓冲模式下额外电流为（ 5 + V
REF
/R
DAC
)
A,
其中R
DAC
是电阻串的电阻。
I
DD
（省电模式）
V
DD
= 4.5 V至5.5 V
V
DD
= 2.5 V至3.6 V
0.2
0.08
1
1
A
A
笔记
1
参见术语部分。
2
温度范围： B版本： -40°C至+ 105°C ;典型的特定网络连接的阳离子是在25℃ 。
3
线性度是用降低的代码范围进行测试： AD5330 （编号8 255）; AD5331 （代码28至1023） ; AD5340 / AD5341 （代码115至4095 ） 。
4
DC特定网络阳离子与输出空载测试。
5
这对应于x的代码。 X =死区电压/ LSB大小。
6
通过设计和特性保证，未经生产测试。
7
为了使扩增fi er输出达到最小电压，偏置误差必须是负的。为了使扩增fi er输出达到其最大电压，V
REF
= V
DD
和
“偏移与增益”错误必须为正数。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
