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16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
超前信息
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST34HF16x2C / D / S和制造商为SST。这
模式可以仅由软件操作来访问。该
硬件设备ID读操作，这通常用于
由程序员不能在此设备上被使用，因为
在多闪光灯和（ P） SRAM之间的共享线路
芯片封装。因此，施加高电压的管脚
A
9
可能会损坏该设备。用户可以使用该软件
产品标识操作来识别部分（即，
使用的设备ID ）中使用多个制造商时
同一插座。有关详细信息，请参阅表4和表7的软
洁具操作，图16为软件ID进入和
请阅读ID进入的COM时序图和图24
命令序列流程图。
表2 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST34HF16x2C/D/S
BK0001H
734AH
T2.0 1256
（ P） SRAM操作
随着BES1 ＃低， BES2和BEF ＃高，
SST34HF16x2C / D / S工作为128K X16 ， 256K
X16或X16 512K CMOS （ P） SRAM ，具有完全静态操作
化，无需外部时钟或定时选通。该
SST34HF16x2C / D / S （P）的SRAM被映射到第一个512
KWord的地址空间。当BES1 ＃ ， BEF ＃高，
BES2低，所有的存储都取消和
器件进入待机状态。读取和写入周期时间
平等的。控制信号瑞银＃和＃ LBS提供访问
以高数据字节和低字节数据（UBS ＃和
LBS ＃信号的NC为SST3416x2S份） 。见表4
对于x16 （ P） SRAM读取和写入数据字节的控制模式
的操作。看到X8 SRAM读表5和写
操作数据字节的控制模式。
（ P） SRAM读
数据
00BFH
BK0000H
注意：
BK =银行地址（A
19
-A
18
)
该SST34HF16x2C的（ P） SRAM读操作/ D / S
由OE ＃和BES1 ＃控制的，既要低，
WE＃和BES2高的系统，以获得从所述数据
输出。 BES1 ＃和BES2用于（P）的SRAM的银行
选择。 OE＃为输出控制，用于栅极
从输出管脚的数据。数据总线处于高阻抗
ANCE状态，当OE ＃为高电平。请参见读周期时序
荷兰国际集团图，图5 ，了解更多详情。
产品标识模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出
内部编程或擦除命令时被忽略
操作。见表7软件命令代码，图 -
URE 17的时序波形和图24的流程图。
（ P） SRAM写入
该SST34HF16x2C的（ P） SRAM写操作/ D / S
由WE＃和BES1 ＃控制，既要低，
BES2必须很高，以便系统写入（P）的SRAM中。
在字写操作时，地址和数据
参照的任BES1 ＃的上升沿， WE＃ ，或
BES2的先到为准下降沿。写
时间是从BES ＃最后一个下降沿测量1或
WE＃或BES2的上升沿到的第一个上升沿
BES1 ＃或WE＃或BES2的下降沿。参阅
写周期时序图，图6和图7中，为进一步
详细信息。
2004硅存储技术公司
S71256-00-000
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