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16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
超前信息
保护
针对
对开关
FL灰
写，
该
SST34HF16x2C / D / S器件包含片上硬件
和软件数据保护方案。
闪光灯和（P）的SRAM操作为两个独立的MEM-
ORY银行与各银行的使能信号。该MEM-
储器组选择由两个银行的使能信号完成的。该
（ P） SRAM银行的使能信号， BES1 ＃和BES2 ，选择
在（ P） SRAM银行（ BES1 ＃和BES2是NC的
SST34HF1602C ） 。闪速存储器组使能信号，
BEF ＃ ，必须与软件数据保护（ SDP）的使用
控制擦除和亲时，命令序列
克操作在闪速存储器区块。内存
银行被叠加在相同的存储器地址
空间，它们共享公共地址线，数据线，
WE＃和OE ＃这将功耗降至最低，并
区。
设计，制造和测试应用程序的要求还
荷兰国际集团的低功耗和小尺寸，将SST34HF16x2C /
D / S提供在商业和扩展温度
及其良好的小尺寸封装，以满足电路板空间
约束要求。参见图3和4，用于针
分配。
并行读/写操作
的SST34HF16x2C / D / S设备双行架构
允许并行读/写操作，从而在
用户可以从一个银行的同时读取编程或eras-
荷兰国际集团在其他银行。该操作时，可以使用的
用户需要读取系统代码的同时updat-一家银行
在其他银行荷兰国际集团的数据。请参阅图1和图2为双
银行的存储器组织。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
大老
FL灰
银行1
读
写
写
无操作
写
无操作
2银行
写
读
无操作
写
无操作
写
（ P） SRAM
无操作
无操作
读
读
写
写
注意：
此表的目的，写入装置，以块擦除，扇区，
或芯片擦除，或可字/字节编程适用于
合适的银行。
设备操作
该SST34HF16x2C / D / S采用BES1 ＃ ， BES2和BEF ＃
成控制闪光灯或（P）的SRAM操作
记忆库。当BEF ＃为低电平时，闪光灯银行被激
氧基团的读取，编程或擦除操作。当BES1 ＃
低，并且BES2是高的（P）的SRAM被用于读取激活
和写操作。 BEF ＃和BES1 ＃不能在低
电平，并且BES2不能处于高电平的同时。
If
所有银行的使能信号有效，总线争用
会导致与该设备可能遭受永久性损坏
年龄。
所有地址，数据和控制线通过快速共享
和（ P） SRAM存储器银行最大限度地减少功率变
消费和加载。该器件进入待机状态时，
BEF ＃和BES1 ＃银行使被提高到V
IHC
（逻辑
高），或者当BEF ＃为高电平并且BES2低。
Flash读操作
在SST34HF16x2C / D转换器的读操作/ S所配置
通过BEF ＃和OE ＃受控，两者都要低的系
统，以获得从所述输出数据。 BEF ＃被用于
设备选择。当BEF ＃是高电平时，芯片是dese-
lected只有待机功耗。 OE ＃是
输出控制，用于从所述门控输出引脚的数据。
数据总线处于高阻状态时，无论BEF ＃
或OE ＃为高电平。是指在读周期时序图
进一步的细节（图8） 。
2004硅存储技术公司
S71256-00-000
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