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16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
超前信息
闪存可字/字节编程操作
这些设备被编程在字的字或
逐字节的基础取决于CIOF引脚的状态。
在编程之前，必须确保该扇区
正被编程的完全擦除。
程序操作完成三个步骤：
1.软件数据保护正在使用的开始
3字节装入序列。
2.字地址和字数据被加载。
在字编程操作，
地址被锁存，下降沿或者
BEF ＃或WE ＃ ，最后的为准。该数据是
锁存的任BEF ＃或WE ＃的上升沿，
以先到为准。
3.后启动内部编程操作
第四WE＃上升沿或BEF ＃ ，而─
先出现。编程操作，一旦ini-
tiated ，将在7微秒通常完成。
参见图9和图10为WE ＃和BEF ＃控制的亲
克操作时序图，图22为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部程序期间发出的任何命令操作
化被忽略。
FLASH芯片擦除操作
该SST34HF16x2C / D / S提供了全片擦除操作，
它允许用户删除所有部门/块到“ 1 ”
状态。此时，该设备必须很快是有用
删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
BEF ＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。看
表7用于命令序列，图13为定时
图，图26为流程图。任何命令
全片擦除操作期间发出的被忽略。当
WP＃为低时，任何企图片擦除将被忽略。
闪存擦除暂停/ -resume操作
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动进入阅读后在20微秒模式
在擦除暂停命令已发出。有效数据
可从没有停止任何部门或块被读
从擦除操作。读地址的位置
擦除悬浮部门内/块将输出DQ
2
瓶酒
岭大战和DQ
6
在“1” 。而在擦除暂停模式下，
允许除可字/字节编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。要恢复
扇区擦除或块擦除操作已被
暂停时，系统必须发出擦除恢复
命令。该操作通过发出一个字节的执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在一个字节序列的任何地址。
闪存以部门（块擦除）擦除操作
这些器件同时提供扇区擦除和块擦除
操作。这些操作允许系统来擦除
上一个扇区到扇区（或块逐块）为基础的设备。
扇区结构是基于均匀扇区大小
2K字。在块擦除方式是基于均匀
的32K字块大小。扇区擦除操作initi-
通过执行一个6字节的命令序列，以ated
扇区擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）中
最后一个总线周期。由开始的块擦除操作
执行与块擦除一个6字节的命令序列
命令（ 50H ）和块地址（ BA ）的末班车
周期。扇区或块地址被锁存在下降
边缘的6个WE＃脉冲，而命令（ 30H或
50H ）被锁定在6个WE＃脉冲的上升沿。
内部擦除操作开始后的第6个WE ＃
脉搏。该块擦除或以部门在发出的任何命令
擦除操作将被忽略，除非擦除暂停和
擦除恢复。参见图14和图15的时序波形
形式。
2004硅存储技术公司
S71256-00-000
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