飞利浦半导体
产品speci fi cation
4位x 64字FIFO寄存器;三态
74HC/HCT7403
T
AMB
(°C)
符号
参数
民
t
W
DIR脉冲宽度10
高
5
4
DOR脉冲
宽高
MR脉冲宽度
低
拆除时间
先生SI
建立时间
D
n
以SI
保持时间
D
n
以SI
最大
时钟脉冲
频率
SI ， SO爆
模式
14
7
6.0
120
24
20
80
16
14
8
4
3
135
27
23
3.6
18
21
+25
典型值
41
15
12
52
19
15
39
14
11
24
8
7
36
13
10
44
16
13
9.9
30
36
最大
130
26
22
160
32
27
40
to
+85
民
8
4
3
12
6
5
150
30
26
100
20
17
6
3
3
170
34
29
2.8
14
16
最大
165
33
28
200
40
34
40
to
+125
民
8
4
3
12
6.0
5.0
180
36
31
120
24
20
6
3
3
205
41
35
2.4
12
14
最大
195
39
33
240
48
41
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
单位
测试条件
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
波形
Fig.7
t
W
Fig.10
t
W
Fig.8
t
REM
Fig.15
t
su
Fig.13
t
h
Fig.13
f
最大
图11和图12
f
最大
最大时钟3.6
脉冲频率18
SI ， SO使用
21
FL AGS
最大时钟
脉冲频率
SI ， SO
级联
9.9
30
36
7.6
23
27
2.8
14
16
2.4
12
14
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
图6和图9
f
最大
图6和图9
1993年9月
8
