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集成电路

数据表

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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格

该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息

该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要

74HC/HCT7403

4位x 64字FIFO寄存器;

3-state

产品speci fi cation

取代1990年10月数据

在集成电路， IC06文件

1993年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

4位x 64字FIFO寄存器;三态

特点

同步或异步

手术

三态输出

30兆赫（典型值）移入和

移出率

在字和位容易扩展

尺寸

穿针安排了简单的电路板

布局：输入引脚的正对面

输出引脚

输出能力：驱动程序（ 8毫安）

类别： LSI 。

应用

高速光盘或磁带控制器

通信缓冲区。

概述

该74HC / HCT7403是高速

硅栅CMOS器件。他们是

符合JEDEC规定

标准no.7A 。

在“ 7403 ”是一个可扩展的，先入

先出（ FIFO ）存储器，

64个字由4位。保证

15 MHz的数据速率使得它非常适合

高速应用。较高

数据速率可以得到

应用场合中的状态标记

不使用（突发模式）。

随着移入独立的控制装置（ SI ）

和移出（ SO ），阅读和

写操作是完全

独立，允许同步

和异步数据传输。

额外的控制包括：

主复位输入（ MR），输出

使能输入端（OE）和标志。该

数据的就绪（ DIR ）和

数据输出就绪（ DOR ）标志指示

该装置的状态。

记

快速参考数据

GND = 0 V ;吨

AMB

= 25

°C;

= t

= 6纳秒。

74HC/HCT7403

典型值。

符号

PHL

PLH

最大

参数

传播延迟，所以，

SI到DIR和DOR

最大时钟

频率

输入电容

功耗

每个电容

包

注1

条件

= 15 pF的;

= 5 V

3.5

475

HCT

3.5

490

兆赫

单位

1.对于HC的条件为V

= GND到V

对于HCT的条件为V

= GND到V

1.5

订购信息

EXTENDED

类型编号

74HC/HCT7403N

74HC/HCT7403D

包

引脚

脚位

DIL

SO16L

材料

塑料

CODE

SOT38Z

SOT162

1993年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

4位x 64字FIFO寄存器;三态

钉扎

符号

DIR

到D

GND

以Q

DOR

4, 5,

6, 7

针

描述

输出使能输入（低电平有效）

数据的就绪输出

移入输入（高电平有效）

并行数据输入

DIR

手册， halfpage

74HC/HCT7403

16 V

15 SO

14 DOR

13 Q0

地

异步主复位

输入（低电平有效）

GND

7403

MGA672

10 ，如图11所示，数据输出

12, 13

数据输出就绪输出

移出输入（低电平有效）

正电源电压

12 Q1

11 Q2

10 Q3

Fig.1引脚配置。

手册， halfpage

FIFO 64× 4

EN4

1Z2

[IR ] 3

[OR] 6

MGA674

DOR

DIR

CTR

1 （ / C2 ） CT

＆ LT ;

CT = 0

＆ GT ;

5Z6

MGA676

图2逻辑符号。

图3 IEC逻辑符号。

1993年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

4位x 64字FIFO寄存器;三态

74HC/HCT7403

DOR一

所以A

DIR

数据输入

Si上

DIR一

脱氧核糖核酸

SI B

DIR B

DOR B

SOB

DOR

数据输出

7403

一个FIFO

Q nA的

DNB

7403

Q NB

FIFO B

MGA679

图4的功能框图。

功能说明

一个DIR标志指示输入级

状态，要么是空，并准备

接收数据（ DIR = HIGH）或全和

忙（ DIR = LOW）。当DIR和SI

高，数据目前为D

到D

移入输入级;一旦

完整的DIR变低。当SI是

置为低电平，数据将被自动移

到输出级或到最后

空位置。一个FIFO从而可以

接收数据是通过DIR组表示

高。

一个DOR标志指示的输出级

状态，无论是现有的数据（ DOR =

HIGH）或闲（ DOR = LOW）。当

SO和DOR高，数据是

可在输出（Q

以Q

当SO置为低电平新的数据可能

被移位到输出阶段，一旦

完整的DOR设定为高。

扩展的格式

（见图17 ）

在DOR和DIR信号被用于

让“ 7403 ”级联。两

并行和串行扩展

可能。

串行扩展是唯一可能与

典型的设备。

并联扩容

并联扩容完成

通过逻辑AND运算的DOR和DIR

信号以形成一个复合信号。

串口扩展

串行扩展完成了：

追平了第一的数据输出

装置的数据输入

第二装置

连接所述第一的DOR的销

设备到所述第二的SI端子

设备

连接第一的SO引脚

设备到所述第二的DIR销

装置。

1993年9月

ULL页宽

R (1)

DOR

1993年9月

飞利浦半导体

61 x

(1)

FF1

FF2

FF3

FF63

FF64

(2)

(1)

4位x 64字FIFO寄存器;三态

锁存器

3-STATE

产量

卜FF器

位置2

位置3到63

64位

MSB118

DIR

锁存器

位置1

（见控制触发器）

低电平触发器FS S输入端， FB和FP将Q输出设置为状态对R输入HIGH独立。

低电平FF1的R输入到FF64将Q输出设置为状态对S输入低电平独立。

74HC/HCT7403

产品speci fi cation

图5的逻辑图。

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