74V1G66
逻辑图
引脚说明
针无
1
2
4
3
5
符号
I / O
O / I
C
GND
V
CC
名称和FUNCT离子
独立的输入/输出
独立的输出/输入
使能输入（
HIGH ）
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
控制
H
L
开关F UNCTIO
ON
关闭
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
I
IK
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流控制输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
直流控制输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5 7
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
- 20
±
20
±
50
±
50
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
o
o
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作，是不是暗示。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
T
op
DT / DV
输入电压
控制输入电压
输出电压
工作温度：
输入上升和下降时间（注2 ）
参数
电源电压（注1 ）
VALU ê
2至5.5
0到V
CC
0至5.5
0到V
CC
-40至+85
0-10
单位
V
V
V
V
o
C
NS / V
1 ）真值表保证： 1.2V至5.5V
2) V
IN
从30％ to70 ％的V
CC
2/9
74V1G66
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
3 = NS）
SYMB OL
参数
V
CC
(V)
t
PD
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
I / O
C
PD
延迟时间
输出使能时间
输出禁止时间
输入电容
开关端子
电容
功耗
电容（注1 ）
3.3
5.0
3.3
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
(*)
测试有限公司ndition
价值
T
A
= 25 C
分钟。典型值。马克斯。
o
取消它
-40至85℃
分钟。马克斯。
1.2
1.0
5.0
5.0
9.0
9.0
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
t
r
= t
f
± 6纳秒
R
L
= 1k
R
L
= 500
0.4
0.3
2.5
2.0
5.0
5.0
5
10
2.5
3
0.8
0.6
4.0
4.0
7.5
7.5
1) C
PD
isdefined作为其计算fromthe工作电流消耗无负载的IC'sinternal等效电容的值。 （ Referto
测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
（开关） 。
（ *）的电压范围为3.3V
±
0.3V
（**） Voltagerange是5V
±
0.5V
模拟开关特性
（ GND = 0 V ，T
A
= 25
o
C)
SYMB OL
参数
V
CC
(V)
3.3
5.0
(*)
3.3
5.0
(*)
3.3
5.0
(*)
3.3
5.0
(*)
V
IN
（VP -P ）
2.75
4
调整F
I N
电压获取0dBm的在V
OS
.
增加F
IN
频率，直到分贝仪读取-3dB
R
L
= 50
,
C
L
= 10pF的
V
IN
被集中在V
CC
/2.
调整F
IN
电压获取0dBm的在V
IS
R
L
= 600
, C
L
= 50pF的，女
IN
= 1MHz的正弦波
R
L
= 600, C
L
= 50pF的，女
IN
= 1MHz的方波
t
r
= t
f
= 6纳秒
试验共nditi上
价值
取消它
正弦波失真
（ THD ）
f
最大
频率响应
（开关）
穿心
衰减
（开关OFF）
串扰（控制
输入到信号输出）
（ *）的电压范围为5V
±
0.5V
f
IN
= 1千赫
R
L
= 10K
C
L
= 50 pF的
0.04
0.04
150
180
-60
-60
60
60
%
兆赫
dB
mV
4/9
74V1G66
单双向开关
s
s
s
s
s
s
高速：
t
PD
= 0.3ns （典型值），在V
CC
= 5V
t
PD
=的0.4ns （典型值）在V
CC
= 3.3V
低功耗：
I
CC
= 1μA （最大值）在T
A
=25°C
低"ON"性：
R
ON
= 6.5Ω （ TYP 。 ）在V
CC
= 5V I
I / O
= 1毫安
R
ON
= 8.5Ω （ TYP 。 ）在V
CC
= 3.3V我
I / O
= 1毫安
正弦波失真度：
0.04 ％在V
CC
= 3.3V F = 1KHz的
宽工作电压范围：
V
CC
（ OPR） = 2V至5.5V
改进的闭锁抗扰度
SOT23-5L
SOT323-5L
订购代码
包
SOT23-5L
SOT323-5L
T&R
74V1G66STR
74V1G66CTR
描述
该74V1G66是一种先进的高速CMOS
单双向开关的制作
硅栅
2
MOS技术。它实现了高
高速的传输延迟和非常低的
同时保持低真CMOS电阻
功耗。这种双向开关手柄
轨对轨的模拟和数字信号，可能会发生变化
在整个电源电压范围（从GND到
V
CC
).
C输入被提供给控制开关和
它与标准CMOS输出兼容;该
开关处于ON （ I / O端口连接到端口O / I ）
当C输入保持高OFF （高
在两个端口之间存在阻抗状态）
当C为低。它可以在许多用于
应用为电池供电系统，测试
设备。它可以在商业和
扩展温度范围和SOT23-5L
SC- 70-5L封装。所有的输入和输出
配备了防静电保护电路
放电，给他们的抗ESD能力和
瞬态过电压
引脚连接和IEC逻辑符号
2004年4月
1/11
74V1G66
输入等效电路
引脚说明
引脚n °
1
2
4
3
5
符号
I / O
O / I
C
GND
V
CC
名称和功能
独立的输入/输出
独立的输出/输入
使能输入（
HIGH ）
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
控制
H
L
*：高阻抗状态
开关功能
ON
关*
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
I
IK
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流控制输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
直流控制输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
- 20
±
20
±
50
±
50
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
储存温度
T
英镑
T
L
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
控制输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间（注1 ）V
CC
= 5.0V
参数
价值
2至5.5
0到V
CC
0至5.5
0到V
CC
-55至125
0-20
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
1) V
IN
从30％到V的70％
CC
在控制引脚
2/11
74V1G66
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
3
10
3.3
5.0
2.5
3
pF
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
I / O
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容
（注1 ）
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
模拟开关特性
（ GND = 0V ;吨
A
= 25°C)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
V
IN
(V
p-p
)
2.75
4
f
IN
= 1千赫
L
= 10 kΩ的，C
L
= 50 pF的
调整F
IN
电压，以获得0 dBm的在V
OS
.
增加F
IN
频率，直到分贝仪读取-3dB
R
L
= 50, C
L
= 10 pF的
V
IN
被集中在V
CC
/2
调整F
IN
电压在V获得为0dBm
IS
R
L
= 600, C
L
= 50 pF的，女
IN
= 1kHz正弦波
R
L
= 600, C
L
= 50 pF的，女
IN
= 1KHz的方波
t
r
= t
f
= 6ns的
价值
单位
典型值。
0.04
0.04
150
180
-60
-60
60
60
mV
dB
兆赫
%
正弦波
失真（ THD ）
f
最大
频率
响应
（开关）
馈通
衰减
（开关OFF）
串扰（控制
输入信号
输出）
（ *）的电压范围为3.3V
±
0.3V
（ ** ）电压范围为5.0V
±
0.5V
4/11
74V1G66
单双向开关
特点
■
高速：
t
PD
= 0.3 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
t
PD
= 0.4 ns（典型值），在V
CC
= 3.3 V
低功耗：
I
CC
= 1
μA
（ MAX 。 ）在T
A
= 25 °C
低"ON"性：
R
ON
= 6.5
Ω
（典型值）在V
CC
= 5 V I
I / O
= 1毫安
R
ON
= 8.5
Ω
（典型值）在V
CC
= 3.3 V I
I / O
= 1毫安
正弦波失真度：
0.04 ％在V
CC
= 3.3 V F = 1千赫
宽工作电压范围：
V
CC
（ OPR ） = 2 V至5.5 V
改进的闭锁抗扰度
SOT23-5L
■
■
■
■
■
SOT323-5L
描述
该74V1G66是一种先进的高速CMOS
单双向开关制造的硅栅
C
2
MOS技术。它实现了高速
传播延迟和非常低的接通电阻
同时保持真正的CMOS低功耗
消费。这种双向开关手柄导轨
轨模拟和可能发生变化的数字信号
在整个电源电压范围（从GND到
V
CC
).
C输入被提供以控制的开关，它
与标准CMOS输出兼容。该
开关处于ON （ I / O端口连接到端口O / I ）
当C输入保持高OFF （高
在两个端口之间存在阻抗状态）
当C为低。它可以在许多用于
应用为电池供电系统或测试
设备。
表1中。
设备简介
订货编号
74V1G66STR
74V1G66CTR
该74V1G66可在商业和
扩展温度范围和SOT23-5L
SOT323-5L包。
所有输入和输出都配备有
防止静电放电保护电路，使
他们的抗ESD能力和瞬态过电压。
包
SOT23-5L
SOT323-5L
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
2008年10月
转8
1/15
www.st.com
15
74V1G66
最大额定值
2
最大额定值
强调以上等级的设备中的“绝对最大额定值”表中列出的可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值的唯一经营
器件在这些或以上的任何其他条件的经营部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
表4 。
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
I
IK
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
or
I
GND
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流控制输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
直流控制输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
或接地电流
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
- 20
±
20
±
50
±
50
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
表5 。
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
T
op
DT / DV
1.
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
控制输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
(1)
V
CC
= 5.0 V
价值
2至5.5
0到V
CC
0至5.5
0到V
CC
-55至125
0-20
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
V
IN
从30％到V的70％
CC
在控制引脚。
3/15
74V1G66
最大额定值
表7中。
AC电气特性（C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
3 = NS）
测试条件
价值
T
A
= 25°C
民
3.3
(1)
典型值
0.4
t
r
= t
f
= 6纳秒
0.3
5.0
5.0
2.5
2.0
最大
0.8
0.6
7.5
7.5
4.0
4.0
-40到85°C
民
最大
1.2
1.0
9.0
9.0
5.0
5.0
-55
125°C
民
最大
2.4
ns
2.0
10.0
ns
10.0
7.0
ns
7.0
单位
符号
参数
V
CC
(V)
t
PD
t
PLZ
t
PHZ
t
PZL
t
PZH
延迟时间
输出禁用
时间
输出使能时间
5.0
(2)
3.3
(1)
5.0
(2)
3.3
(1)
5.0
(2)
R
L
= 500
Ω
R
L
= 1 K
Ω
1.电压范围为3.3 V± 0.3 V.
2.电压范围为5 V± 0.5 V.
表8 。
电容特性
测试条件
价值
T
A
= 25°C
民
典型值
3
10
3.3
5.0
2.5
pF
3
最大
10
-40到85°C
民
最大
10
-55
125°C
民
最大
10
pF
pF
单位
符号
参数
V
CC
(V)
C
IN
C
I / O
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容
(1)
1. C
PD
被定义为IC的内部等效电容是从工作电流计算得到的值
消费无负担。 （参照测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。
I
CC
（ OPR ） = C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
.
5/15
74V1G66
逻辑图
引脚说明
针无
1
2
4
3
5
符号
I / O
O / I
C
GND
V
CC
名称和FUNCT离子
独立的输入/输出
独立的输出/输入
使能输入（
HIGH ）
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
控制
H
L
开关F UNCTIO
ON
关闭
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
I
IK
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流控制输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
直流控制输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5 7
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
- 20
±
20
±
50
±
50
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
o
o
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作，是不是暗示。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
T
op
DT / DV
输入电压
控制输入电压
输出电压
工作温度：
输入上升和下降时间（注2 ）
参数
电源电压（注1 ）
VALU ê
2至5.5
0到V
CC
0至5.5
0到V
CC
-40至+85
0-10
单位
V
V
V
V
o
C
NS / V
1 ）真值表保证： 1.2V至5.5V
2) V
IN
从30％ to70 ％的V
CC
2/9
74V1G66
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
3 = NS）
SYMB OL
参数
V
CC
(V)
t
PD
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
I / O
C
PD
延迟时间
输出使能时间
输出禁止时间
输入电容
开关端子
电容
功耗
电容（注1 ）
3.3
5.0
3.3
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
3.3
(*)
5.0
(**)
(*)
测试有限公司ndition
价值
T
A
= 25 C
分钟。典型值。马克斯。
o
取消它
-40至85℃
分钟。马克斯。
1.2
1.0
5.0
5.0
9.0
9.0
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
t
r
= t
f
± 6纳秒
R
L
= 1k
R
L
= 500
0.4
0.3
2.5
2.0
5.0
5.0
5
10
2.5
3
0.8
0.6
4.0
4.0
7.5
7.5
1) C
PD
isdefined作为其计算fromthe工作电流消耗无负载的IC'sinternal等效电容的值。 （ Referto
测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
（开关） 。
（ *）的电压范围为3.3V
±
0.3V
（**） Voltagerange是5V
±
0.5V
模拟开关特性
（ GND = 0 V ，T
A
= 25
o
C)
SYMB OL
参数
V
CC
(V)
3.3
5.0
(*)
3.3
5.0
(*)
3.3
5.0
(*)
3.3
5.0
(*)
V
IN
（VP -P ）
2.75
4
调整F
I N
电压获取0dBm的在V
OS
.
增加F
IN
频率，直到分贝仪读取-3dB
R
L
= 50
,
C
L
= 10pF的
V
IN
被集中在V
CC
/2.
调整F
IN
电压获取0dBm的在V
IS
R
L
= 600
, C
L
= 50pF的，女
IN
= 1MHz的正弦波
R
L
= 600, C
L
= 50pF的，女
IN
= 1MHz的方波
t
r
= t
f
= 6纳秒
试验共nditi上
价值
取消它
正弦波失真
（ THD ）
f
最大
频率响应
（开关）
穿心
衰减
（开关OFF）
串扰（控制
输入到信号输出）
（ *）的电压范围为5V
±
0.5V
f
IN
= 1千赫
R
L
= 10K
C
L
= 50 pF的
0.04
0.04
150
180
-60
-60
60
60
%
兆赫
dB
mV
4/9
