飞利浦半导体
产品speci fi cation
全桥的垂直挠度输出电路
在LVDMOS
TDA8359J
特征
V
P
= 12 V; V
FB
= 45 V ; F
垂直
= 50赫兹; V
我（偏见）
= 880 mV的;牛逼
AMB
= 25
°C;
在图3中的测试电路测量;除非另有
特定网络版。
符号
耗材
V
P
V
FB
I
Q（ P） （ AV ）
I
Q（ P）
I
Q（ FB ） （ AV ）
工作电源电压
反激式电源电压
平均静态电源电流
静态电源电流
平均静态反激式电源
当前
注1
扫描过程中
无信号;空载
扫描过程中
7.5
2
×
V
P
12
45
10
45
18
66
15
75
10
V
V
mA
mA
mA
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输入A和B
V
I（峰 - 峰值）
V
我（偏见）
I
我（偏见）
V
loss(1)
输入电压（峰 - 峰值）
输入偏置电压
输入偏置电流
注2
注2
来源
100
1000
880
25
1500
1600
35
mV
mV
A
输出A和B
电压损失科幻首先扫描部分
注3
I
o
= 1.1 A
I
o
= 1.6 A
V
loss(2)
电压损失第二部分扫描
注4
I
o
=
1.1
A
I
o
=
1.6
A
I
O（ P-P ）
LE
输出电流
（峰 - 峰值）
线性误差
I
O（ P-P ）
= 3.2 A;注意到， 5和6
相邻块
非相邻块
V
OFFSET
失调电压
R两端
M
; V
我（ DIF ）
= 0 V
V
我（偏见）
- 200毫伏
V
我（偏见）
= 1 V
V
偏移量（T）的
V
O
G
V（ OL ）
f
3dB(h)
G
v
G
V（ T）
PSRR
偏移电压变化
温度
直流输出电压
开环电压增益
高
3
dB截止频率
电压增益
与电压增益变化
温度
电源抑制比
注10
R两端
M
; V
我（ DIF ）
= 0 V
V
我（ DIF ）
= 0 V
注释7和8
开环
注9
80
±15
±20
40
mV
mV
μV / K
V
dB
千赫
K
1
dB
1
1
2
3
%
%
3.3
4.8
3.2
V
V
A
4.5
6.6
V
V
0.5
×
V
P
60
1
1
90
10
4
2002年1月21日
6
